

BSS306N H6327詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2.3A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:57 毫歐 @ 2.3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 11µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.5nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:275pF @ 15V
- 功率_最大:500mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:PG-SOT23-3
- 包裝:剪切帶 (CT)
BSS306N H6327詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2.3A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:57 毫歐 @ 2.3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 11µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.5nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:275pF @ 15V
- 功率_最大:500mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:PG-SOT23-3
- 包裝:Digi-Reel®
BSS306N H6327詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2.3A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:57 毫歐 @ 2.3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 11µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.5nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:275pF @ 15V
- 功率_最大:500mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:PG-SOT23-3
- 包裝:帶卷 (TR)
BSS306N L6327詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT-23
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2.3A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:57 毫歐 @ 2.3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 11µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.5nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:275pF @ 15V
- 功率_最大:500mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:PG-SOT23-3
- 包裝:帶卷 (TR)
BSS308PE H6327詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 30V 2.0A SOT23
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:80 毫歐 @ 2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 11µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:5nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:500pF @ 15V
- 功率_最大:500mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:PG-SOT23-3
- 包裝:剪切帶 (CT)
BSS308PE H6327詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 30V 2.0A SOT23
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:80 毫歐 @ 2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 11µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:5nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:500pF @ 15V
- 功率_最大:500mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:PG-SOT23-3
- 包裝:Digi-Reel®
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div CABLE I/O 2M COO
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- FET - 單 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 30V 2.0A SOT23