

BSS315P H6327詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.5A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫歐 @ 1.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 11µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:2.3nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:282pF @ 15V
- 功率_最大:500mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:PG-SOT23-3
- 包裝:Digi-Reel®
BSS315P H6327詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.5A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫歐 @ 1.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 11µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:2.3nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:282pF @ 15V
- 功率_最大:500mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:PG-SOT23-3
- 包裝:帶卷 (TR)
BSS315P H6327詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.5A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫歐 @ 1.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 11µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:2.3nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:282pF @ 15V
- 功率_最大:500mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:PG-SOT23-3
- 包裝:剪切帶 (CT)
BSS315P L6327詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT-23
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.5A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫歐 @ 1.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 11µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:2.3nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:282pF @ 15V
- 功率_最大:500mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:PG-SOT23-3
- 包裝:Digi-Reel®
BSS315P L6327詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT-23
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.5A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫歐 @ 1.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 11µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:2.3nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:282pF @ 15V
- 功率_最大:500mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:PG-SOT23-3
- 包裝:剪切帶 (CT)
BSS315P L6327詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT-23
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.5A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫歐 @ 1.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 11µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:2.3nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:282pF @ 15V
- 功率_最大:500mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:PG-SOT23-3
- 包裝:帶卷 (TR)
- RF 放大器 Infineon Technologies 6-XFDFN 裸露焊盤 IC AMP MMIC 3.6V 20MA TSLP-7
- 陶瓷 Kemet 徑向,圓盤 CAP CER 15PF 300V 5% RADIAL
- 通孔電阻器 TE Connectivity 軸向 RES 64.9K OHM 1/2W 0.5% AXIAL
- FET - 單 Infineon Technologies SC-70,SOT-323 MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-323
- 測試引線 - 跳線,專用型 Mueller Electric Co SC-70,SOT-323 LEAD SET 10 ALLIGATOR 22AWG 18"
- 薄膜 AVX Corporation 徑向 CAP FILM 5600PF 100VDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 徑向,圓盤 CAP CER 15PF 300V 5% RADIAL
- RF 放大器 Infineon Technologies TSLP-16-1 IC AMP MMIC QUAD-BAND LN TSLP16
- 通孔電阻器 TE Connectivity 軸向 RES 511 OHM 1/4W 0.5% AXIAL
- 薄膜 AVX Corporation 徑向 CAP FILM 6800PF 100VDC RADIAL
- 薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 0.22UF 400VDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 徑向,圓盤 CAP CER 15PF 300V 5% RADIAL
- RF 放大器 Infineon Technologies TSLP-7-8 IC LNA 5GHZ - 6GHZ TSLP-7-8
- 通孔電阻器 TE Connectivity 軸向 RES 59.0K OHM 1/4W 0.5% AXIAL
- 薄膜 AVX Corporation 徑向 CAP FILM 8200PF 100VDC RADIAL