BST52 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

BST52,115詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS NPN 80V 500MA SOT89

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：NPN - 達林頓

電流_集電極333Ic444（最大）：1A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：80V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.3V @ 500µA，500mA

電流_集電極截止（最大）：50nA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：2000 @ 500mA，10V

功率_最大：1.3W

頻率_轉(zhuǎn)換：200MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-243AA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-89-3

包裝：剪切帶 (CT)

BST52,115詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS NPN 80V 500MA SOT89

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：NPN - 達林頓

電流_集電極333Ic444（最大）：1A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：80V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.3V @ 500µA，500mA

電流_集電極截止（最大）：50nA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：2000 @ 500mA，10V

功率_最大：1.3W

頻率_轉(zhuǎn)換：200MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-243AA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-89-3

包裝：帶卷 (TR)

BST52,115詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS NPN 80V 500MA SOT89

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：NPN - 達林頓

電流_集電極333Ic444（最大）：1A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：80V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.3V @ 500µA，500mA

電流_集電極截止（最大）：50nA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：2000 @ 500mA，10V

功率_最大：1.3W

頻率_轉(zhuǎn)換：200MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-243AA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-89-3

包裝：Digi-Reel®

BST52,135詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS NPN 80V 500MA SOT89

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：NPN - 達林頓

電流_集電極333Ic444（最大）：1A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：80V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.3V @ 500µA，500mA

電流_集電極截止（最大）：50nA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：2000 @ 500mA，10V

功率_最大：1.3W

頻率_轉(zhuǎn)換：200MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-243AA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-89-3

包裝：帶卷 (TR)

BST52TA詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS DARL NPN 80V 500MA SOT-89

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶體管類型：NPN - 達林頓

電流_集電極333Ic444（最大）：500mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：80V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.3V @ 500µA，500mA

電流_集電極截止（最大）：10µA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 150mA，10V

功率_最大：1W

頻率_轉(zhuǎn)換：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-243AA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-89-3

包裝：剪切帶 (CT)

BST52TA詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS DARL NPN 80V 500MA SOT-89

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶體管類型：NPN - 達林頓

電流_集電極333Ic444（最大）：500mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：80V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.3V @ 500µA，500mA

電流_集電極截止（最大）：10µA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 150mA，10V

功率_最大：1W

頻率_轉(zhuǎn)換：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-243AA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-89-3

包裝：帶卷 (TR)

• C2012C0G2A152J

  陶瓷    TDK Corporation    0805（2012 公制）    CAP CER 1500PF 100V 5% NP0 0805

• BST-5/250-D48-C

  DC DC Converters    Murata Power Solutions Inc    8-DIP 模塊    CONV DC/DC +/-5V +/-250MA DIP

• BH2/3-TER

  電池座，夾，觸點    MPD (Memory Protection Devices)    8-DIP 模塊    BATTERY TERMINAL FOR BH2/3A

• C1005C0G1H2R7C

  陶瓷    TDK Corporation    0402（1005 公制）    CAP CER 2.7PF 50V NP0 0402

• BTNK0160

  配件 - 帽蓋    C&K Components    0402（1005 公制）    CAP SWITCH SQR BLUE SNAP-ON KSA

• C0805C689C2GACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 6.8PF 200V NP0 0805

• C3216X7R1C105K/1.15

  陶瓷    TDK Corporation    1206（3216 公制）    CAP CER 1UF 16V 10% X7R 1206

• C2012C0G2A152J

  陶瓷    TDK Corporation    0805（2012 公制）    CAP CER 1500PF 100V 5% NP0 0805

• BP48V18

  配件    Tripp Lite    0805（2012 公制）    BATTERY EXTERNAL PACK 48V BLUE

• BTNK0260

  配件 - 帽蓋    C&K Components    TO-243AA    CAP SWITCH RND BLUE SNAP-ON KSA

• C1005C0G1H330F

  陶瓷    TDK Corporation    0402（1005 公制）    CAP CER 33PF 50V 1% NP0 0402

• C3216X7R1C105M

  陶瓷    TDK Corporation    1206（3216 公制）    CAP CER 1UF 16V 20% X7R 1206

• C0805C689D5GALTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 6.8PF 50V NP0 0805

• BP48V24-2U

  配件    Tripp Lite    0805（2012 公制）    BATT PACK EXT 48V 2U W/CABLE

• BST60,115

  晶體管(BJT) - 單路    NXP Semiconductors    TO-243AA    TRANS PNP 45V 500MA SOT89