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BSZ086P03NS3E G 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

BSZ086P03NS3E G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.6 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.9V @ 105µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：57.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4785pF @ 15V; 功率_最大：69W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：Digi-Reel®

BSZ086P03NS3E G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.6 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.9V @ 105µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：57.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4785pF @ 15V; 功率_最大：69W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：剪切帶 (CT)

BSZ086P03NS3E G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.6 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.9V @ 105µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：57.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4785pF @ 15V; 功率_最大：69W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：帶卷 (TR)

C3216X7R1E105K/1.60
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 1UF 25V 10% X7R 1206
C0805C820F5GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 82PF 50V 1% NP0 0805
BTS3118N
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 內(nèi)部開關(guān) Infineon Technologies TO-261-4，TO-261AA IC SWITCH N-CH LOW SIDE SOT223-4
BH28RB1WGUT-E2
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Rohm Semiconductor 4-WFBGA，CSPBGA IC REG LDO 2.8V .15A 4-VCSP
BSZ086P03NS3E G
FET - 單 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
C2012SL1A683J
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 0.068UF 10V 5% SL 0805
C1005C0G1H430J
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 43PF 50V 5% NP0 0402
C3216X7R1E105K/1.60
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 1UF 25V 10% X7R 1206
C0805C820G1GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 82PF 100V 2% NP0 0805
BH29NB1WHFV-TR
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Rohm Semiconductor SOT-665 IC REG LDO 2.9V .15A 5HVS0F
C1005C0G1H430J
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 43PF 50V 5% NP0 0402
C2012SL1A683J
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 0.068UF 10V 5% SL 0805
C0805C820G5GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 82PF 50V 2% NP0 0805
C3216X7R1E105K/1.60
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 1UF 25V 10% X7R 1206
BTS3160D
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 內(nèi)部開關(guān) Infineon Technologies TO-252-6，DPak（5 引線 + 接片） IC SWITCH PWR LOSIDE TO252-5