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BSZ0904NSI 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

BSZ0904NSI詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物!; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 30A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 15V; 功率_最大：37W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：剪切帶 (CT)

BSZ0904NSI詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物!; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 30A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 15V; 功率_最大：37W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：Digi-Reel®

BSZ0904NSI詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物!; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 30A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 15V; 功率_最大：37W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：帶卷 (TR)

查看更多BSZ0904NSI的供應(yīng)商

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