

BUK7608-40B,118詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
- 系列:TrenchMOS™
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:75A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫歐 @ 25A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:36nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2689pF @ 25V
- 功率_最大:157W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:Digi-Reel®
BUK7608-40B,118詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
- 系列:TrenchMOS™
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:75A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫歐 @ 25A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:36nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2689pF @ 25V
- 功率_最大:157W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
BUK7608-40B,118詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
- 系列:TrenchMOS™
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:75A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫歐 @ 25A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:36nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2689pF @ 25V
- 功率_最大:157W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:剪切帶 (CT)
BUK7608-55,118詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- 系列:TrenchMOS™
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:75A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫歐 @ 25A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:4500pF @ 25V
- 功率_最大:187W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
BUK7608-55A,118詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- 系列:*
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:
- FET特點:
- 漏極至源極電壓333Vdss444:
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:
- Id時的Vgs333th444(最大):
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:
- 功率_最大:
- 安裝類型:
- 封裝/外殼:
- 供應商設備封裝:
- 包裝:
BUK7608-55A,118詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- 系列:*
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:
- FET特點:
- 漏極至源極電壓333Vdss444:
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:
- Id時的Vgs333th444(最大):
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:
- 功率_最大:
- 安裝類型:
- 封裝/外殼:
- 供應商設備封裝:
- 包裝:
- 單二極管/齊納 NXP Semiconductors SOD-80C DIODE ZENER 33V 500MW SOD80C
- FET - 單 NXP Semiconductors TO-263-5,D²Pak(4 引線+接片),TO-263BB MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
- 網(wǎng)絡、陣列 CTS Resistor Products 2008(5020 公制),凹陷 RES ARRAY 5.1K OHM 4 RES 2008
- FET - 單 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
- 共模扼流圈 EPCOS Inc 垂直式,4 PC 引腳 DOUBLE CHOKE 39MH 1A VERT
- 單二極管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-201AD,軸向 DIODE 3A 1300V DO-201AD
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Rohm Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 IC REG LDO 8V 1A TO-252-3
- PMIC - 電池管理 Texas Instruments 8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC V-PROT 2-4CELL LI-ION 8-TSSOP
- 單二極管/齊納 NXP Semiconductors SOD-80C DIODE ZENER 39V 500MW SOD80C
- 共模扼流圈 EPCOS Inc 垂直式,4 PC 引腳 DOUBLE CHOKE 4.7MH 4A VERT
- 網(wǎng)絡、陣列 CTS Resistor Products 2008(5020 公制),凹陷 RES ARRAY 56 OHM 4 RES 2008
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Rohm Semiconductor TO-220-3 全封裝截切引線 IC REG LDO 9V 1A TO-220CP-3
- 單二極管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-201AD,軸向 DIODE 2A 800V 500NS DO-201AD
- PMIC - 電池管理 Texas Instruments 8-VDFN 裸露焊盤 IC V-PROT 2-4CELL LI-ION 8SON
- 單二極管/齊納 NXP Semiconductors SOD-80C DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD80C