CGA3E2C0G2A681J 全國供應商、價格、PDF資料

CGA3E2C0G2A681J詳細規(guī)格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 680PF 100V 5% NP0 0603

系列：CGA

制造商：TDK Corporation

電容：680pF

電壓_額定：100V

容差：±5%

溫度系數：C0G，NP0

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應用：自動

額定值：AEC-Q200

封裝/外殼：0603（1608 公制）

尺寸/尺寸：0.063" L x 0.031" W（1.60mm x 0.80mm）

高度_座高（最大）：-

厚度（最大）：0.035"（0.90mm）

引線間隔：-

特點：-

包裝：帶卷 (TR)

CGA3E2C0G2A681J詳細規(guī)格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 680PF 100V 5% NP0 0603

系列：CGA

制造商：TDK Corporation

電容：680pF

電壓_額定：100V

容差：±5%

溫度系數：C0G，NP0

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應用：自動

等級：

封裝/外殼：0603（1608 公制）

大小/尺寸：

高度_安裝（最大值）：

厚度：

厚度（最大值）：

引線間距：

特性：

包裝：剪切帶 (CT)

故障率：

CGA3E2C0G2A681J詳細規(guī)格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 680PF 100V 5% NP0 0603

系列：CGA

制造商：TDK Corporation

電容：680pF

電壓_額定：100V

容差：±5%

溫度系數：C0G，NP0

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應用：自動

等級：

封裝/外殼：0603（1608 公制）

大小/尺寸：

高度_安裝（最大值）：

厚度：

厚度（最大值）：

引線間距：

特性：

包裝：帶卷 (TR)

故障率：

CGA3E2C0G2A681J詳細規(guī)格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 680PF 100V 5% NP0 0603

系列：CGA

制造商：TDK Corporation

電容：680pF

電壓_額定：100V

容差：±5%

溫度系數：C0G，NP0

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應用：自動

額定值：AEC-Q200

封裝/外殼：0603（1608 公制）

尺寸/尺寸：0.063" L x 0.031" W（1.60mm x 0.80mm）

高度_座高（最大）：-

厚度（最大）：0.035"（0.90mm）

引線間隔：-

特點：-

包裝：Digi-Reel®

CGA3E2C0G2A681J詳細規(guī)格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 680PF 100V 5% NP0 0603

系列：CGA

制造商：TDK Corporation

電容：680pF

電壓_額定：100V

容差：±5%

溫度系數：C0G，NP0

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應用：自動

等級：

封裝/外殼：0603（1608 公制）

大小/尺寸：

高度_安裝（最大值）：

厚度：

厚度（最大值）：

引線間距：

特性：

包裝：Digi-Reel®

故障率：

CGA3E2C0G2A681J詳細規(guī)格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 680PF 100V 5% NP0 0603

系列：CGA

制造商：TDK Corporation

電容：680pF

電壓_額定：100V

容差：±5%

溫度系數：C0G，NP0

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應用：自動

額定值：AEC-Q200

封裝/外殼：0603（1608 公制）

尺寸/尺寸：0.063" L x 0.031" W（1.60mm x 0.80mm）

高度_座高（最大）：-

厚度（最大）：0.035"（0.90mm）

引線間隔：-

特點：-

包裝：剪切帶 (CT)

• FQA44N08

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-3P-3，SC-65-3    MOSFET N-CH 80V 49.8A TO-3P

• CGJ5L2X7R1A475K

  陶瓷    TDK Corporation    1206（3216 公制）    CAP CER 4.7UF 10V 10% X7R 1206

• ESR10EZPF1003

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 100K OHM 1/4W 1% 0805 SMD

• CGA6L4C0G2J562J

  陶瓷    TDK Corporation    1210（3225 公制）    CAP CER 5600PF 630V 5% NP0 1210

• CGA3E2C0G2A391J

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 390PF 100V 5% NP0 0603

• FQA55N10

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-3P-3，SC-65-3    MOSFET N-CH 100V 61A TO-3P

• CGJ5L2X7R1A475K

  陶瓷    TDK Corporation    1206（3216 公制）    CAP CER 4.7UF 10V 10% X7R 1206

• FK16Y5V1A226Z

  陶瓷    TDK Corporation    徑向    CAP CER 22UF 10V RADIAL

• ESR10EZPF10R0

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 10.0 OHM 1/4W 1% 0805 SMD

• FQA5N90

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-3P-3，SC-65-3    MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-3P

• FK16Y5V1A226Z

  陶瓷    TDK Corporation    徑向    CAP CER 22UF 10V RADIAL

• CGJ5L2X7R1A685K

  陶瓷    TDK Corporation    1206（3216 公制）    CAP CER 6.8UF 10V 10% X7R 1206

• ESR10EZPF1101

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 1.10K OHM 1/4W 1% 0805 SMD

• CGA3E2C0G2A821J

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 820PF 100V 5% NP0 0603

• CGA6M2C0G1H473J

  陶瓷    TDK Corporation    1210（3225 公制）    CAP CER 0.047UF 50V 5% NP0 1210