CGA8L3C0G2E223J 全國供應商、價格、PDF資料

CGA8L3C0G2E223J詳細規(guī)格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 0.022UF 250V 5% NP0 1812

系列：CGA

制造商：TDK Corporation

電容：0.022µF

電壓_額定：250V

容差：±5%

溫度系數(shù)：C0G，NP0

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應用：自動

額定值：

封裝/外殼：1812（4532 公制）

尺寸/尺寸：

高度_座高（最大）：

厚度（最大）：

引線間隔：

特點：

包裝：帶卷 (TR)

CGA8L3C0G2E223J詳細規(guī)格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 0.022UF 250V 5% NP0 1812

系列：CGA

制造商：TDK Corporation

電容：0.022µF

電壓_額定：250V

容差：±5%

溫度系數(shù)：C0G，NP0

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應用：自動

額定值：

封裝/外殼：1812（4532 公制）

尺寸/尺寸：

高度_座高（最大）：

厚度（最大）：

引線間隔：

特點：

包裝：剪切帶 (CT)

CGA8L3C0G2E223J詳細規(guī)格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 0.022UF 250V 5% NP0 1812

系列：CGA

制造商：TDK Corporation

電容：0.022µF

電壓_額定：250V

容差：±5%

溫度系數(shù)：C0G，NP0

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應用：自動

等級：AEC-Q200

封裝/外殼：1812（4532 公制）

大小/尺寸：0.177" L x 0.126" W（4.50mm x 3.20mm）

高度_安裝（最大值）：-

厚度：

厚度（最大值）：0.063"（1.60mm）

引線間距：-

特性：-

包裝：帶卷 (TR)

故障率：

CGA8L3C0G2E223J詳細規(guī)格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 0.022UF 250V 5% NP0 1812

系列：CGA

制造商：TDK Corporation

電容：0.022µF

電壓_額定：250V

容差：±5%

溫度系數(shù)：C0G，NP0

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應用：自動

等級：AEC-Q200

封裝/外殼：1812（4532 公制）

大小/尺寸：0.177" L x 0.126" W（4.50mm x 3.20mm）

高度_安裝（最大值）：-

厚度：

厚度（最大值）：0.063"（1.60mm）

引線間距：-

特性：-

包裝：剪切帶 (CT)

故障率：

CGA8L3C0G2E223J詳細規(guī)格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 0.022UF 250V 5% NP0 1812

系列：CGA

制造商：TDK Corporation

電容：0.022µF

電壓_額定：250V

容差：±5%

溫度系數(shù)：C0G，NP0

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應用：自動

額定值：

封裝/外殼：1812（4532 公制）

尺寸/尺寸：

高度_座高（最大）：

厚度（最大）：

引線間隔：

特點：

包裝：Digi-Reel®

CGA8L3C0G2E223J詳細規(guī)格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 0.022UF 250V 5% NP0 1812

系列：CGA

制造商：TDK Corporation

電容：0.022µF

電壓_額定：250V

容差：±5%

溫度系數(shù)：C0G，NP0

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應用：自動

等級：AEC-Q200

封裝/外殼：1812（4532 公制）

大小/尺寸：0.177" L x 0.126" W（4.50mm x 3.20mm）

高度_安裝（最大值）：-

厚度：

厚度（最大值）：0.063"（1.60mm）

引線間距：-

特性：-

包裝：Digi-Reel®

故障率：

• FQB50N06LTM

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK

• CGRC301-G

  單二極管/整流器    Comchip Technology    DO-214AB，SMC    DIODE GEN PURP 3A 50V DO-214AB

• ESR10EZPJ151

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 150 OHM 1/4W 5% 0805 SMD

• CGA3E2X8R1H152K

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 1500PF 50V 10% X8R 0603

• FK18X7R1E684K

  陶瓷    TDK Corporation    徑向    CAP CER 0.68UF 25V 10% RADIAL

• CGA8L2X7R1H225K

  陶瓷    TDK Corporation    1812（4532 公制）    CAP CER 2.2UF 50V 10% X7R 1812

• FQB50N06TM

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

• CGRC307-G

  單二極管/整流器    Comchip Technology    DO-214AB，SMC    DIODE GEN PURP 3A 1000V DO-214AB

• ESR10EZPJ155

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 1.5M OHM 1/4W 5% 0805 SMD

• FK18X7R1H683K

  陶瓷    TDK Corporation    徑向    CAP CER 0.068UF 50V 10% RADIAL

• FQB5N40TM

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 400V 4.5A D2PAK

• CGRC501-G

  單二極管/整流器    Comchip Technology    DO-214AB，SMC    DIODE GEN PURP 5A 50V DO-214AB

• CGA3E2X8R1H153K

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 0.015UF 50V 10% X8R 0603

• FK18X7R2A222K

  陶瓷    TDK Corporation    徑向    CAP CER 2200PF 100V 10% RADIAL

• ERJ-S6QJR27V

  芯片電阻 - 表面安裝    Panasonic Electronic Components    0805（2012 公制）    RES ANTI-SULFUR 0.27 OHM 5% 0805