CSD16321Q5 全國供應商、價格、PDF資料
CSD16321Q5詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
- 系列:NexFET™
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:100A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.4 毫歐 @ 25A,8V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3100pF @ 12.5V
- 功率_最大:3.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
- 供應商設備封裝:8-SON
- 包裝:剪切帶 (CT)
CSD16321Q5詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
- 系列:NexFET™
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:100A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.4 毫歐 @ 25A,8V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3100pF @ 12.5V
- 功率_最大:3.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
- 供應商設備封裝:8-SON
- 包裝:帶卷 (TR)
CSD16321Q5詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
- 系列:NexFET™
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:100A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.4 毫歐 @ 25A,8V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3100pF @ 12.5V
- 功率_最大:3.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
- 供應商設備封裝:8-SON
- 包裝:Digi-Reel®
CSD16321Q5C詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
- 系列:NexFET™
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:100A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.4 毫歐 @ 25A,8V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3100pF @ 12.5V
- 功率_最大:3.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
- 供應商設備封裝:8-SON-EP(5x6)
- 包裝:Digi-Reel®
CSD16321Q5C詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
- 系列:NexFET™
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:100A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.4 毫歐 @ 25A,8V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3100pF @ 12.5V
- 功率_最大:3.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
- 供應商設備封裝:8-SON-EP(5x6)
- 包裝:帶卷 (TR)
CSD16321Q5C詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
- 系列:NexFET™
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:100A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.4 毫歐 @ 25A,8V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3100pF @ 12.5V
- 功率_最大:3.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
- 供應商設備封裝:8-SON-EP(5x6)
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0201(0603 公制) RES 9.1M OHM 1/20W 5% 0201 SMD
- 陶瓷 Kemet 徑向,圓盤 CAP CER 8PF 250V RADIAL
- 芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0201(0603 公制) RES 1.18K OHM 1/20W 1% 0201 SMD
- 單二極管/整流器 Cree Inc TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO263-2
- 芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0402(1005 公制) RES 3.9K OHM 1/10W 5% 0402 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0402(1005 公制) RES 93.1 OHM 1/10W 1% 0402 SMD
- RF,特定 Taiyo Yuden 0805(2012 公制),4 PC 板 FILTER LOWPASS DTV DMB-TH DUB-H
- 芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0805(2012 公制) RES 2.7M OHM 1/8W 5% 0805 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0201(0603 公制) RES 9.1 OHM 1/20W 5% 0201 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0402(1005 公制) RES 3.9K OHM 1/10W 5% 0402 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0402(1005 公制) RES 953K OHM 1/10W 1% 0402 SMD
- RF,特定 Taiyo Yuden 0805(2012 公制),4 PC 板 FILTER LOWPASS DTV ISDB-T SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0805(2012 公制) RES 2 OHM 1/8W 5% 0805 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0201(0603 公制) RES 100 OHM 1/20W 1% 0201 SMD
- 陶瓷 Kemet 徑向,圓盤 CAP CER 8PF 250V RADIAL