CSD16323Q3 全國供應商、價格、PDF資料
CSD16323Q3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON
- 系列:NexFET™
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:60A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫歐 @ 24A,8V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.4nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 12.5V
- 功率_最大:3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
- 供應商設備封裝:8-SON
- 包裝:剪切帶 (CT)
CSD16323Q3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON
- 系列:NexFET™
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:60A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫歐 @ 24A,8V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.4nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 12.5V
- 功率_最大:3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
- 供應商設備封裝:8-SON
- 包裝:帶卷 (TR)
CSD16323Q3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON
- 系列:NexFET™
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:60A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫歐 @ 24A,8V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.4nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 12.5V
- 功率_最大:3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
- 供應商設備封裝:8-SON
- 包裝:Digi-Reel®
CSD16323Q3C詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
- 系列:NexFET™
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:60A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫歐 @ 24A,8V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.4nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 12.5V
- 功率_最大:3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
- 供應商設備封裝:8-SON 裸露焊盤(3x3)
- 包裝:帶卷 (TR)
CSD16323Q3C詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
- 系列:NexFET™
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:60A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫歐 @ 24A,8V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.4nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 12.5V
- 功率_最大:3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
- 供應商設備封裝:8-SON 裸露焊盤(3x3)
- 包裝:剪切帶 (CT)
CSD16323Q3C詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
- 系列:NexFET™
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:60A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫歐 @ 24A,8V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.4nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 12.5V
- 功率_最大:3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
- 供應商設備封裝:8-SON 裸露焊盤(3x3)
- 包裝:Digi-Reel®
- 支架 - 元件 Hammond Manufacturing PANEL SIDE 48.9X32.4X0.8" GREY
- 配件 Cypress Semiconductor Corp REPLACEMENT POD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 0805(2012 公制) RES 0.25 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 電流 Honeywell Sensing and Control HALL-EFF BASED OPEN-LOOP CURR
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 120POS .100 WW
- 陣列,信號變壓器 Cooper Bussmann 徑向 INDUCTOR TOROID DUAL 50.63UH SMD
- 配件 Murata Power Solutions Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) PANEL CUTOUT PUNCH FOR DMS-30/40
- 晶體管(BJT) - 陣列 Diodes Inc SOT-23-6 TRANS SS BIPO PNP DUAL SOT-26
- 配件 OKI/Metcal COMP DUMMY BGA FOR BGAK3 KIT(10)
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 0805(2012 公制) RES 0.3 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 固定式 Cooper Bussmann 徑向 INDUCTOR TOROID PWR 50UH HORZ
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 120PS DIP .100 SLD
- 配件 Murata Power Solutions Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) PANEL CUTOUT PUNCH FOR DMS-30/40
- 晶體管(BJT) - 陣列 Micro Commercial Co 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANSISTOR PNP 200MA 40V SOT363
- 配件 OKI/Metcal COMP DUMMY BGA FOR BGAK3 KIT(10)