CSD20030 全國供應商、價格、PDF資料

CSD20030D詳細規(guī)格

類別：二極管，整流器 - 陣列

描述：DIODE SCHOTTKY 300V 20A TO-247

系列：Zero Recovery™

制造商：Cree Inc

電壓_在If時為正向333Vf444（最大）：1.4V @ 10A

電流_在Vr時反向漏電：200µA @ 300V

電流_平均整流333Io444（每個二極管）：10A

電壓_333Vr444（最大）：300V

反向恢復時間333trr444：0ns

二極管類型：碳化硅肖特基

速度：無恢復時間 > 500mA（Io）

二極管配置：1 對共陰極

安裝類型：通孔，徑向

封裝/外殼：TO-247-3

供應商設(shè)備封裝：TO-247-3

包裝：管件

• IHSM7832RG470L

  固定式    Vishay Dale    非標準    INDUCTOR POWER 47UH 2.6A SMD

• IRF7469PBF

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 40V 9A 8-SOIC

• IRF9Z24STRLPBF

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK

• CSD18503Q5A

  FET - 單    Texas Instruments    8-PowerTDFN    MOSFET N-CH 40V 8SON

• CRCW2512226RFKEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 226 OHM 1W 1% 2512 SMD

• EXB-E10C272J

  網(wǎng)絡(luò)、陣列    Panasonic Electronic Components    1608（4021 公制），凹陷    RES ARRAY 2.7K OHM 8 RES 1608

• IRF9Z30

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-220-3    MOSFET P-CH 50V 18A TO-220AB

• CSD18504Q5A

  FET - 單    Texas Instruments    8-PowerTDFN    MOSFET N-CH 40V 8SON

• IRF7473TRPBF

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC

• IHSR36F1

  按鈕 - 霍爾效應    APEM Components, LLC    非標準    SWITCH HALL EFFECT BLUE

• CRCW2512226RFKTG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 226 OHM 1W 1% 2512 SMD

• EXB-E10C272J

  網(wǎng)絡(luò)、陣列    Panasonic Electronic Components    1608（4021 公制），凹陷    RES ARRAY 2.7K OHM 8 RES 1608

• CSD23201W10

  FET - 單    Texas Instruments    4-UFBGA，DSBGA    MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA

• IRF9Z34SPBF

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK

• IRF7484QTRPBF

  其它    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 40V 14A 8SOIC