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DDA124EU-7詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIASED DUAL PNP SOT-363; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：2 個(gè) PNP 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：22k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363; 包裝：帶卷 (TR)

DDA124EU-7詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIASED DUAL PNP SOT-363; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：2 個(gè) PNP 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：22k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363; 包裝：剪切帶 (CT)

DDA124EU-7-F詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIASED DUAL PNP SOT363; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：2 個(gè) PNP 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：22k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363; 包裝：Digi-Reel®

DDA124EU-7-F詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIASED DUAL PNP SOT363; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：2 個(gè) PNP 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：22k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363; 包裝：剪切帶 (CT)

DDA124EU-7-F詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIASED DUAL PNP SOT363; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：2 個(gè) PNP 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：22k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363; 包裝：帶卷 (TR)

DDZ9V1CSF-7
單二極管/齊納 Diodes Inc SC-90，SOD-323F DIODE ZENER 9.07V 500MW SOD323F
DDA123JU-7-F
晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 Diodes Inc 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 TRANS PREBIASED DUAL PNP SOT363
KPT02A16-26SA71
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 26POS W/SKT BOX
KJA0T25F37PA
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 37POS FLANGED W/PIN
GP2W0110YPSF
IrDA 收發(fā)器模塊 Sharp Microelectronics 4-SMD IRDA MODULE 115.2KBPS 8SMD
DJT10E15-5JA-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 5POS SKT
L-15W6N8JV4E
固定式 Johanson Technology Inc 0805（2012 公制） WIREWOUND INDUCTOR 6.8NH 0805
DDZX13BTS-7
二極管/齊納陣列 Diodes Inc 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DIODE ZENER TRIPLE 13V SOT-363
DF38324WWV
嵌入式 - 微控制器， Renesas Electronics America 80-TQFP IC H8/38324 MCU FLASH 80TQFP
GP2W0110YPSF
IrDA 收發(fā)器模塊 Sharp Microelectronics 4-SMD IRDA MODULE 115.2KBPS 8SMD
KJA0T25F37PA
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 37POS FLANGED W/PIN
DJT10E15-5JC
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 5POS FLANGE W/SKT
L-15W9N0JV4E
固定式 Johanson Technology Inc 0805（2012 公制） WIREWOUND INDUCTOR 9NH 0805
DDZX15-7
單二極管/齊納 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ZENER 15V 300MW SOT23-3
DF38344HV
嵌入式 - 微控制器， Renesas Electronics America 100-BFQFP IC H8/38344 MCU FLASH 100-QFP

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