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DDTA122TU-7詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIASED PNP 200MW SC70-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：220; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：200MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-323; 包裝：帶卷 (TR)

DDTA122TU-7詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIASED PNP 200MW SC70-3; 系列：-; 制造商：Diodes/Zetex; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：220; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：200MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-323; 包裝：帶卷 (TR)

DDTA122TU-7詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIASED PNP 200MW SC70-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：220; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：200MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-323; 包裝：剪切帶 (CT)

DDTA122TU-7-F詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIASED PNP 200MW SC70-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：220; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：200MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-323; 包裝：帶卷 (TR)

DDTA122TU-7-F詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIASED PNP 200MW SC70-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：220; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：200MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-323; 包裝：剪切帶 (CT)

DDTA122TU-7-F詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIASED PNP 200MW SC70-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：220; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：200MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-323; 包裝：Digi-Reel®

BQ25012RHLRG4
PMIC - 電池管理 Texas Instruments 20-VFQFN 裸露焊盤(pán) IC CHRG/PWR MGMT BLUETOOTH 20QFN
DDTA122TU-7-F
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 Diodes Inc SC-70，SOT-323 TRANS PREBIASED PNP 200MW SC70-3
EBC44DCSH-S288
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 88POS .100 EXTEND
DTS26W17-6PN
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 6POS STRGHT W/PINS
DCMV-37S-N-K126
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D38999/20FF35BA
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DAP222G
二極管，整流器 - 陣列 ON Semiconductor SC-75，SOT-416 DIODE SWITCH DUAL CA 80V SC75-3
BQ25017RHLR
PMIC - 電池管理 Texas Instruments 20-VFQFN 裸露焊盤(pán) IC CHARGER/DC-DC CONV 20-QFN
DTS26W17-6SB
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 6POS STRGHT W/SKT
DCMV-8C8P-N-K87
D-Sub ITT Cannon CONN DSUB PLUG 8C8 PCB
D38999/20FF35BC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 66POS SKT
DVS-3R6D224T-R5
雙電層，超級(jí)電容器 Elna America 徑向，Can - SMD CAP SUPER 0.22F 3.6V SMD
DAP222M3T5G
二極管，整流器 - 陣列 ON Semiconductor SOT-723 DIODE SWITCH DUAL CA 80V SOT723
BQ25040DQCT
PMIC - 電池管理 Texas Instruments 10-WFDFN 裸露焊盤(pán) IC LI-ION BATTERY CHARGER 10WSON

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