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DDTC123YE-7詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS PREBIASED NPN 150MW SOT523; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：NPN - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：33 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-523; 供應商設備封裝：SOT-523; 包裝：剪切帶 (CT)

DDTC123YE-7詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS PREBIASED NPN 150MW SOT523; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：NPN - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：33 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-523; 供應商設備封裝：SOT-523; 包裝：帶卷 (TR)

DDTC123YE-7-F詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS PREBIASED NPN 150MW SOT523; 系列：-; 制造商：Diodes/Zetex; 晶體管類型：NPN - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：33 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-523; 供應商設備封裝：SOT-523; 包裝：帶卷 (TR)

DDTC123YE-7-F詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS PREBIASED NPN 150MW SOT523; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：NPN - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：33 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-523; 供應商設備封裝：SOT-523; 包裝：帶卷 (TR)

DDTC123YE-7-F詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS PREBIASED NPN 150MW SOT523; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：NPN - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：33 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-523; 供應商設備封裝：SOT-523; 包裝：剪切帶 (CT)

DDTC123YE-7-F詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS PREBIASED NPN 150MW SOT523; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：NPN - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：33 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-523; 供應商設備封裝：SOT-523; 包裝：Digi-Reel®

DBMMY9W4PA101
D-Sub ITT Cannon DSUB 9W4 M SOD G50 CAD
DDTC123TKA-7-F
晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3
KR-CH(2.5)F2X3
電池組 Sanyo Energy 22.00mm 外徑 x 8.50mm 內(nèi)徑 x 37.00mm L BATT PACK 7.2V 2500MAH NICAD
KPSE07E8-33PW
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 3POS JAM NUT PIN
DF12A-50DS-0.5V(81)
板對板 - 陣列，邊緣類型，包廂 Hirose Electric Co Ltd CONN RECEPT 50POS 0.5MM GOLD SMD
DCM8X8SNA222
D-Sub ITT Cannon DSUB 8X8 F PCB G30 50 OHM
DBMMY9W4S
D-Sub ITT Cannon DSUB 9W4 F SOD FLOA G50
D4NS-3AF
快動，限位，拉桿 Omron Electronics Inc-EMC Div T1，軸向 SWITCH SAFETY DOOR 1NC/1NO
KPSE07F10-6SW
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 6POS JAM NUT W/SKTS
D4NS-9AF
快動，限位，拉桿 Omron Electronics Inc-EMC Div T1，軸向 SWITCH SAFETY DOOR 1NC/1NO
DBMMY-9W4S-A101
D-Sub ITT Cannon CONN DSUB RCPT 9W4 SLDER CUP
KR-CH(2.5)F2X5
電池組 Sanyo Energy 22.00mm 外徑 x 8.50mm 內(nèi)徑 x 37.00mm L BATT PACK 12.0V 2500MAH NICAD
DCMA37SA197
D-Sub ITT Cannon 5AG，10mm x 38.1mm DSUB 37 F CRIMP
KPSE07F10-6SW
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 6POS JAM NUT W/SKTS
DF12B(3.0)-36DP-0.5V(86)
板對板 - 陣列，邊緣類型，包廂 Hirose Electric Co Ltd CONN HEADER 36POS 3MM SMD 0.5MM