當(dāng)前位置：網(wǎng)站首頁 » 庫存索引110 » 型號(hào)"DTA124EM"的供應(yīng)信息

DTA124EM 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

DTA124EM3T5G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS PNP 50V 22/22K SOT-723

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：22k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：260mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-723

包裝：剪切帶 (CT)

DTA124EM3T5G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS PNP 50V 22/22K SOT-723

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：22k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：260mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-723

包裝：帶卷 (TR)

DTA124EMT2L詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS PNP 50V 30MA VMT3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：22k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 5mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz

功率_最大：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3

包裝：帶卷 (TR)

DTA124EMT2L詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS PNP 50V 30MA VMT3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：22k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 5mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz

功率_最大：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3

包裝：Digi-Reel®

DTA124EMT2L詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS PNP 50V 30MA VMT3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：22k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 5mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz

功率_最大：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3

包裝：剪切帶 (CT)

• DS90UR908QSQ/NOPB

  接口 - 串行器，解串行器    Texas Instruments    48-WFQFN 裸露焊盤    IC DESERIALIZER 65MHZ 48LLP

• DRV8800PWP

  PMIC - 電機(jī)和風(fēng)扇控制器，驅(qū)動(dòng)器    Texas Instruments    16-TSSOP（0.173"，4.40mm）裸露焊盤    IC DC MTR DVR FULL BRDG 16HTSSOP

• ILP3FAD2L0B

  按鈕    APEM Components, LLC    1812（4532 公制）    SWITCH PUSHBUTTON SPST-NO 2A 24V

• DTA124EETL

  晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式    Rohm Semiconductor    SC-75，SOT-416    TRANS PNP 50V 30MA SOT-416

• IDTAMB0582C1RJ

  接口 - 信號(hào)緩沖器，中繼器，分配器    IDT, Integrated Device Technology Inc        IC MEMORY BUFFER ADV DIMM 655BGA

• IDT72825LB15PF8

  邏輯 - FIFO    IDT, Integrated Device Technology Inc    128-LQFP    IC FIFO SYNC DL 1024X18 128TQFP

• LKX2G680MESY25

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 68UF 400V 20% SNAP

• IHSM7832ER181L

  固定式    Vishay Dale    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCTOR POWER 180UH 1.3A SMD

• DS9105-003#

  存儲(chǔ)器 - 配件    Maxim Integrated    -    IBUTTON NUMBER SET THREE

• IDTCSP2510DPG8

  時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 時(shí)鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器    IDT, Integrated Device Technology Inc    24-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC CLK DVR PLL ZDB 1:10 24TSSOP

• ILP3SAD2

  按鈕    APEM Components, LLC    1812（4532 公制）    SWITCH PUSHBUTTON SPST-NO 2A 24V

• IDT72825LB15PFI

  邏輯 - FIFO    IDT, Integrated Device Technology Inc    128-LQFP    IC FIFO SYNC DL 1024X18 128TQFP

• LKX2G681MESC50

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 680UF 400V 20% SNAP

• IHSM7832ER182L

  固定式    Vishay Dale    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCTOR POWER 1800UH .34A SMD

• DS91C176TMA/NOPB

  接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器    Texas Instruments    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC TXRX MULTIPOINT-LVDS 8SOIC