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DTB113EKT146詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS DIGITAL PNP 50V 500MA SMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：1k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：1k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：33 @ 50mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 2.5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：200MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SMT3; 包裝：剪切帶 (CT)

DTB113EKT146詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS DIGITAL PNP 50V 500MA SMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：1k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：1k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：33 @ 50mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 2.5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：200MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SMT3; 包裝：帶卷 (TR)

DTB113EKT146詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS DIGITAL PNP 50V 500MA SMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：1k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：1k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：33 @ 50mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 2.5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：200MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SMT3; 包裝：Digi-Reel®

DTB113ESTP詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANSISTOR PNP 50V 500MA SPT TB; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：1k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：1k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：33 @ 50mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 2.5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：200MHz; 功率_最大：300mW; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：SC-72 成形引線; 供應商設備封裝：SPT; 包裝：帶盒（TB）

DTB113ZKT146詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRAN DIGIT PNP 50V 500MA SOT-346; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：1k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 50mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 2.5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：200MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SMT3; 包裝：剪切帶 (CT)

DTB113ZKT146詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRAN DIGIT PNP 50V 500MA SOT-346; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：1k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 50mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 2.5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：200MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SMT3; 包裝：帶卷 (TR)

DTA144WETL
晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 Rohm Semiconductor SC-75，SOT-416 TRANS PNP 50V 30MA SOT-416
CP1W-32ER
配件 Omron Electronics Inc-IA Div EXPANSION I/O UNIT
DS1100LZ-250+
時鐘/計時 - 延遲線 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DELAY LINE 5TAP 250NS 8-SOIC
DTA144WUAT106
晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 Rohm Semiconductor SC-70，SOT-323 TRANS PNP 50V 30MA SOT-323
CP1W-32ET
配件 Omron Electronics Inc-IA Div EXPANSION I/O UNIT
CP1W-32ET
配件 Omron Electronics Inc-IA Div EXPANSION I/O UNIT
DTA144WUAT106
晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 Rohm Semiconductor SC-70，SOT-323 TRANS PNP 50V 30MA SOT-323
CP1W-32ET1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div EXPANSION I/O UNIT
DTB113ZKT146
晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 Rohm Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRAN DIGIT PNP 50V 500MA SOT-346
CP1W-40EDR
配件 Omron Electronics Inc-IA Div EXPANSION I/O UNIT
DTB114GKT146
晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 Rohm Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS PNP 50V 500MA SOT-346
CP1W-40EDR
配件 Omron Electronics Inc-IA Div EXPANSION I/O UNIT
DTB120150UC-P5P-FL
電池充電器 CUI Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BATT CHRGR LEAD-ACID 12V 1.5A
CP1W-40EDT1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div EXPANSION I/O UNIT
DTB143EKT146
晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 Rohm Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS PNP 50V 500MA SOT-346

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