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DTC114TCA-TP詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PREBIASED NPN 200MW SOT-23; 系列：-; 制造商：Micro Commercial Co; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23; 包裝：帶卷 (TR)

DTC114TEBTL詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRAN DIGITAL NPN 50V 100MA EMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：EMT3; 包裝：帶卷 (TR)

DTC114TET1詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 100MA 10K SC75-3; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-75，SOT-416; 包裝：帶卷 (TR)

DTC114TET1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 100MA 10K SC75-3; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-75，SOT-416; 包裝：帶卷 (TR)

DTC114TETL詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 100MA SOT-416; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：EMT3; 包裝：帶卷 (TR)

DTC114TETL詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 100MA SOT-416; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：EMT3; 包裝：Digi-Reel®

D38999/26FD19SBLC
圓形 - 外殼 Amphenol Industrial Operations CONN HSG PLUG 19POS STRGHT SCKT
B72207S1140K111
TVS - 變阻器，MOV EPCOS Inc 圓盤 7mm VARISTOR S07K14AUTOGD1
B57235S509M51
熱敏電阻 - NTC EPCOS Inc NTC THERMISTOR S 235/5 /M 51
DTC114TEBTL
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 Rohm Semiconductor SC-75，SOT-416 TRAN DIGITAL NPN 50V 100MA EMT3
ECM25DCWT
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 50POS DIP .156 SLD
DP241-6-12A32
功率 Pulse Electronics Corporation 模塊 TRANSFORMER 115/230V 12.6V 2.5A
D38999/24WA35PD-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 6POS PIN
ECQ-E2185KB
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 1.8UF 250VDC RADIAL
D38999/26FD19SC
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 19POS INLINE W/SCKT
B57235S809M51
熱敏電阻 - NTC EPCOS Inc NTC THERMISTOR S 235/8 /M 51
ECM25DRKH-S13
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 50POS .156 EXTEND
D38999/24WA35SA
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 6POS JAM NUT W/SCKT
DP-241-6-20L
功率 Signal Transformer 模塊 XFRMR PWR 115/230V 20VCT 1.5A
ECQ-E2185KBB
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 1.8UF 250VDC RADIAL
B72207S2141K101
TVS - 變阻器，MOV EPCOS Inc 圓盤 7mm VARISTOR S07K140E2

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