DTC114TUAT106詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS NPN 50V 100MA SOT-323
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 1mA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 頻率_轉換:250MHz
- 功率_最大:200mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SC-70,SOT-323
- 供應商設備封裝:UMT3
- 包裝:剪切帶 (CT)
DTC114TUAT106詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS NPN 50V 100MA SOT-323
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 1mA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 頻率_轉換:250MHz
- 功率_最大:200mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SC-70,SOT-323
- 供應商設備封裝:UMT3
- 包裝:帶卷 (TR)
DTC114TUAT106詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS NPN 50V 100MA SOT-323
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 1mA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 頻率_轉換:250MHz
- 功率_最大:200mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SC-70,SOT-323
- 供應商設備封裝:UMT3
- 包裝:Digi-Reel®
DTC114TUA-TP詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS DGTL NPN 200MW SOT-323
- 系列:-
- 制造商:Micro Commercial Co
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 1mA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 頻率_轉換:250MHz
- 功率_最大:200mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SC-70,SOT-323
- 供應商設備封裝:SOT-323
- 包裝:帶卷 (TR)
DTC114TUA-TP詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS DGTL NPN 200MW SOT-323
- 系列:-
- 制造商:Micro Commercial Co
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 1mA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 頻率_轉換:250MHz
- 功率_最大:200mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SC-70,SOT-323
- 供應商設備封裝:SOT-323
- 包裝:Digi-Reel®
DTC114TUA-TP詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS DGTL NPN 200MW SOT-323
- 系列:-
- 制造商:Micro Commercial Co
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 1mA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 頻率_轉換:250MHz
- 功率_最大:200mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SC-70,SOT-323
- 供應商設備封裝:SOT-323
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 接口 - 專用 Texas Instruments IC RETIMER 10GBE 4CH 48LLP
- 邏輯 - 信號開關,多路復用器,解碼器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SSOP(0.154",3.90mm 寬) IC BUS SWITCH 8BIT QUICK 20-QSOP
- 固定式 Vishay Dale IND AXIAL THRU HOLE .15 20%
- 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 Rohm Semiconductor SOT-723 TRANS NPN 50V 100MA VMT3
- 邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 240-BGA IC FIFO 131KX36 4-4NS 240BGA
- 接口 - 驅動器,接收器,收發(fā)器 Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC RCVR DUAL EIA-422/423 8-SOIC
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 510PF 100V 5% U2J 1206
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805(2012 公制) CAP CER 10000PF 25V 20% X7R 0805
- 接口 - 專用 Texas Instruments IC RETIMER 10GBE 4CH 48LLP
- 信號,高達 2 A TE Connectivity RELAY TELECOM DPDT 2A 6V
- 邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 240-BGA IC FIFO 131KX36 5NS 240BGA
- 接口 - 驅動器,接收器,收發(fā)器 Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC RCVR DUAL EIA-422/423 8-SOIC
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805(2012 公制) CAP CER 0.022UF 25V 20% X7R 0805
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 560PF 100V 5% U2J 1206
- 接口 - 模擬開關,多路復用器,多路分解器 Texas Instruments 54-WFQFN 裸露焊盤 IC DUAL LANE MUX/BUFFER 54-LLP