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DTC115E 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

DTC115EET1詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS NPN BIAS RES 50V SC75-3

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：100k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：100k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：200mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SC-75，SOT-416

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-75，SOT-416

包裝：帶卷 (TR)

DTC115EET1G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS NPN BIAS RES 50V SC-75

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：100k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：100k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：200mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SC-75，SOT-416

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-75，SOT-416

包裝：剪切帶 (CT)

DTC115EET1G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS NPN BIAS RES 50V SC75-3

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：100k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：100k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：200mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SC-75，SOT-416

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-75，SOT-416

包裝：帶卷 (TR)

DTC115EETL詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS NPN 50V 20MA SOT-416

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：100k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：100k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：82 @ 5mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz

功率_最大：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SC-75，SOT-416

供應(yīng)商設(shè)備封裝：EMT3

包裝：剪切帶 (CT)

DTC115EETL詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS NPN 50V 20MA SOT-416

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：100k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：100k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：82 @ 5mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz

功率_最大：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SC-75，SOT-416

供應(yīng)商設(shè)備封裝：EMT3

包裝：帶卷 (TR)

DTC115EETL詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS NPN 50V 20MA SOT-416

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：100k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：100k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：82 @ 5mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz

功率_最大：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SC-75，SOT-416

供應(yīng)商設(shè)備封裝：EMT3

包裝：Digi-Reel®

• GRM319F51C105ZA01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 1UF 16V Y5V 1206

• IM26GR

  信號(hào)，高達(dá) 2 A    TE Connectivity        RELAY TELECOM DPDT 2A 12V

• DS99R105VSX/NOPB

  接口 - 串行器，解串行器    Texas Instruments    48-TQFP    IC SERIALIZER 40MHZ 24BIT 48TQFP

• IDT72T40108L6-7BB

  邏輯 - FIFO    IDT, Integrated Device Technology Inc    208-BGA    IC FIFO DDR/SDR 6-7NS 208-BGA

• DS1010S-50+

  時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 延遲線    Maxim Integrated    16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    IC DELAY LINE 10TAP 16-SOIC

• LLA319R71C104MA01L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 0.1UF 16V 20% X7R 1206

• GRM319F51C105ZA01J

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 1UF 16V Y5V 1206

• IM42CGR

  信號(hào)，高達(dá) 2 A    TE Connectivity        RELAY TELECOM DPDT 2A 4.5V

• IDT72T40118L4BBG

  邏輯 - FIFO    IDT, Integrated Device Technology Inc    208-BGA    IC FIFO DDR/SDR 4NS 208-BGA

• IDTQS3VH253PAG8

  邏輯 - 信號(hào)開關(guān)，多路復(fù)用器，解碼器    IDT, Integrated Device Technology Inc    16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC MUX/DEMUX SW DUAL 4:1 16TSSOP

• DS1010S-500

  時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 延遲線    Maxim Integrated    16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    IC DELAY LINE 10TAP 16-SOIC

• LLA319R71C684MA01L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 0.68UF 16V 20% X7R 1206

• GRM319F51C474ZA01L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 0.47UF 16V Y5V 1206

• IMB10AT110

  晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式    Rohm Semiconductor    SC-74，SOT-457    TRANS DUAL PNP 50V 100MA SOT-457

• IDT72T4098L6-7BB

  邏輯 - FIFO    IDT, Integrated Device Technology Inc    208-BGA    IC FIFO DDR/SDR 6-7NS 208-BGA