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DTC124XM 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

DTC124XM3T5G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS NPN 50V 22/47K SOT-723

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：22k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：260mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-723

包裝：帶卷 (TR)

DTC124XM3T5G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS NPN 50V 22/47K SOT-723

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：22k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：260mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-723

包裝：剪切帶 (CT)

DTC124XMT2L詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS DGTL NPN 50V 100MA VMT3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：22k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz

功率_最大：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3

包裝：Digi-Reel®

DTC124XMT2L詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS DGTL NPN 50V 100MA VMT3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：22k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz

功率_最大：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3

包裝：剪切帶 (CT)

DTC124XMT2L詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS DGTL NPN 50V 100MA VMT3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：22k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz

功率_最大：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3

包裝：帶卷 (TR)

• DS1023S-200+T&R

  時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 延遲線    Maxim Integrated    16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    IC DELAY LINE 256TAP 16-SOIC

• LGN2V471MELC30

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 470UF 350V 20% SNAP

• IMC0805ER1R0J01

  固定式    Vishay Dale    0805（2012 公制）    INDUCTOR WW 1.0UH 5% 0805

• DTC124XMT2L

  晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式    Rohm Semiconductor    SOT-723    TRANS DGTL NPN 50V 100MA VMT3

• IDT72V205L15TFI

  邏輯 - FIFO    IDT, Integrated Device Technology Inc    64-LQFP    IC FIFO SYNC 16KX9 15NS 64QFP

• LLL185R71C223MA11L

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）寬（長(zhǎng)側(cè)）0306（0816 公制）    CAP CER 0.022UF 16V 20% X7R 0306

• DSA7004R0L

  晶體管(BJT) - 單路    Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products    TO-243AA    TRANS PNP LF 50VCEO 2A MINIP3-F

• LGN2W101MELY35

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 100UF 450V 20% SNAP

• DS1040Z-100+

  時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 延遲線    Maxim Integrated    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC DELAY LINE 5TAP 100NS 8-SOIC

• IDT72V2103L6BC

  邏輯 - FIFO    IDT, Integrated Device Technology Inc    100-LBGA    IC FIFO SUPERSYNCII 6NS 100-BGA

• LLL185R71C473MA01L

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）寬（長(zhǎng)側(cè)）0306（0816 公制）    CAP CER 0.047UF 16V 20% X7R 0306

• DSA70C150HB

  二極管，整流器 - 陣列    IXYS    TO-247-3    DIODE SCHOTTKY 150V 2X35A TO-247

• LGN2W101MELZ30

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 100UF 450V 20% SNAP

• DS1040Z-500+

  時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 延遲線    Maxim Integrated    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC DELAY LINE 5TAP 500NS 8-SOIC

• DTC124XUAT106

  晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式    Rohm Semiconductor    SC-70，SOT-323    TRANS NPN 50V 100MA SOT-323