DTC143TM 全國供應商、價格、PDF資料

DTC143TM3T5G詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式

描述：TRANS NPN 50V 100MA 4.7K SOT-723

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉換：-

功率_最大：260mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應商設備封裝：SOT-723

包裝：Digi-Reel®

DTC143TM3T5G詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式

描述：TRANS NPN 50V 100MA 4.7K SOT-723

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉換：-

功率_最大：260mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應商設備封裝：SOT-723

包裝：帶卷 (TR)

DTC143TM3T5G詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式

描述：TRANS NPN 50V 100MA 4.7K SOT-723

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉換：-

功率_最大：260mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應商設備封裝：SOT-723

包裝：剪切帶 (CT)

DTC143TMT2L詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式

描述：TRANS NPN 50V 100MA VMT3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA

電流_集電極截止（最大）：-

頻率_轉換：250MHz

功率_最大：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應商設備封裝：VMT3

包裝：Digi-Reel®

DTC143TMT2L詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式

描述：TRANS NPN 50V 100MA VMT3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA

電流_集電極截止（最大）：-

頻率_轉換：250MHz

功率_最大：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應商設備封裝：VMT3

包裝：剪切帶 (CT)

DTC143TMT2L詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式

描述：TRANS NPN 50V 100MA VMT3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA

電流_集電極截止（最大）：-

頻率_轉換：250MHz

功率_最大：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應商設備封裝：VMT3

包裝：帶卷 (TR)

• LGN2Z821MELA35

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 820UF 180V 20% SNAP

• LLL185R71H332MA01L

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）寬（長側）0306（0816 公制）    CAP CER 3300PF 50V 20% X7R 0306

• IMC1008ER2R7J

  固定式    Vishay Dale    1008（2520 公制）    INDUCTOR 2.7UH 5% SMD

• DTC143TM3T5G

  晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式    ON Semiconductor    SOT-723    TRANS NPN 50V 100MA 4.7K SOT-723

• DSA900100L

  晶體管(BJT) - 單路    Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products    SC-89，SOT-490    TRANS PNP 50V 100MA SSMINI3

• GRM319R71E474KA01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 0.47UF 25V 10% X7R 1206

• LLL215C70G105MA11L

  陶瓷    Murata Electronics North America    0805（2012 公制）寬（長側）0508（1220 公制）    CAP CER 1UF 4V X7S 20% 0508

• DS1075Z-010

  時鐘/計時 - 可編程計時器和振蕩器    Maxim Integrated    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC ECONOSCILLATOR 10MHZ 8-SOIC

• LGN2Z821MELB25

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 820UF 180V 20% SNAP

• IMC1008ER47NJ

  固定式    Vishay Dale    1008（2520 公制）    INDUCTOR 47NH 5% SMD

• GRM319R71E474KA01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 0.47UF 25V 10% X7R 1206

• LLL215R70J474MA11L

  陶瓷    Murata Electronics North America    0805（2012 公制）寬（長側）0508（1220 公制）    CAP CER 0.47UF 6.3V 20% X7R 0508

• LGNW6181MELZ40

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 180UF 420V 20% SNAP

• DS1075Z-644

  時鐘/計時 - 可編程計時器和振蕩器    Maxim Integrated    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC ECONOSCILLATOR 644MHZ 8-SOIC

• DSA9-12F

  單二極管/整流器    IXYS    DO-203AA，DO-4，接線柱    DIODE AVAL 1200V 11A DO-203AA