ECH8411-TL-E 全國供應商、價格、PDF資料
ECH8411-TL-E詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 9A ECH8
- 系列:-
- 制造商:SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:9A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16 毫歐 @ 4A,4V
- Id時的Vgs333th444(最大):-
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:21nC @ 4V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1740pF @ 10V
- 功率_最大:1.4W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
- 供應商設(shè)備封裝:8-ECH
- 包裝:Digi-Reel®
ECH8411-TL-E詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 9A ECH8
- 系列:-
- 制造商:SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:9A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16 毫歐 @ 4A,4V
- Id時的Vgs333th444(最大):-
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:21nC @ 4V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1740pF @ 10V
- 功率_最大:1.4W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
- 供應商設(shè)備封裝:8-ECH
- 包裝:帶卷 (TR)
ECH8411-TL-E詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 9A ECH8
- 系列:-
- 制造商:SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:9A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16 毫歐 @ 4A,4V
- Id時的Vgs333th444(最大):-
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:21nC @ 4V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1740pF @ 10V
- 功率_最大:1.4W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
- 供應商設(shè)備封裝:8-ECH
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 44-TSOP(0.400",10.16mm 寬) IC SRAM 1MBIT 20NS 44TSOP
- 光纖 Industrial Fiberoptics 9-DIP 模塊 PATCH CORDS HARSH ENV 15M
- FET - 單 ON Semiconductor 8-SMD,扁平引線 MOSFET P-CH 12V 9.5A ECH8
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805(2012 公制)寬(長側(cè))0508(1220 公制) CAP CER 0.22UF 10V 20% X7R 0508
- 溫度 Texas Instruments TO-206AB,TO-46-3 金屬罐 IC SENSOR PRECISION TEMP TO46-3
- 時鐘/計時 - 專用 IDT, Integrated Device Technology Inc 40-VFQFN 裸露焊盤 IC FREQ TIMING GENERATOR 40VFQFN
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Fairchild Semiconductor 8-DIP(0.300",7.62mm) IC OPAMP DUAL HIGH POWER 8-DIP
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 330PF 50V 10% RADIAL
- 存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 44-BSOJ IC SRAM 1MBIT 20NS 44SOJ
- PMIC - 電壓基準 Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC VREF SHUNT 2.49V 8-SOIC
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805(2012 公制)寬(長側(cè))0508(1220 公制) CAP CER 0.22UF 10V 20% X7R 0508
- 線性 - 比較器 Fairchild Semiconductor 14-DIP(0.300",7.62mm) IC COMPARATOR QUAD 14-DIP
- 時鐘/計時 - 專用 IDT, Integrated Device Technology Inc 24-VFQFN 裸露焊盤 IC CLOCK GENERATOR 24MLF
- 存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 44-BSOJ IC SRAM 1MBIT 20NS 44SOJ
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 330PF 50V 10% RADIAL