EMD4 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

EMD4DXV6T1G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS BRT NPN/PNP DL 50V SOT-563

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：47k，10k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：500mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-563

包裝：帶卷 (TR)

EMD4DXV6T5G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS BRT NPN/PNP DL 50V SOT-563

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：47k，10k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：500mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-563

包裝：帶卷 (TR)

EMD4T2R詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS COMPLEX DGTL PNP/NPN EMT6

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：47k，10k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz

功率_最大：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應(yīng)商設(shè)備封裝：EMT6

包裝：剪切帶 (CT)

EMD4T2R詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS COMPLEX DGTL PNP/NPN EMT6

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：47k，10k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz

功率_最大：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應(yīng)商設(shè)備封裝：EMT6

包裝：帶卷 (TR)

EMD4T2R詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS COMPLEX DGTL PNP/NPN EMT6

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：47k，10k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz

功率_最大：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應(yīng)商設(shè)備封裝：EMT6

包裝：Digi-Reel®

• CUR-3284-MB

  箱    Bud Industries        BOX ABS 7.61X4.61X2.36" BLACK

• EEC17DRYH-S93

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions        CONN EDGECARD 34POS DIP .100 SLD

• EMD3T2R

  晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式    Rohm Semiconductor    SOT-563，SOT-666    TRANS PNP/NPN 50V 50MA EMT6

• EEE-FT1V561AP

  電容器    Panasonic Electronic Components    徑向，Can - SMD    CAP ALUM 560UF 35V 20% SMD

• CW010312R0KE733

  通孔電阻器    Vishay Dale    軸向    RES 312 OHM 13W 10% WW AXIAL

• EEE-HB0J221AP

  電容器    Panasonic Electronic Components    徑向，Can - SMD    CAP ALUM 220UF 6.3V 20% SMD

• ELXS161VSN122MA25S

  電容器    United Chemi-Con    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 1200UF 160V 20% SNAP

• CUR-3286-MB

  箱    Bud Industries        BOX ABS 10.15X6.15X3.13" BLACK

• EEC17DRYS

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions        CONN EDGECARD 34POS DIP .100 SLD

• CW010316R0JE73

  通孔電阻器    Vishay Dale    軸向    RES 316 OHM 13W 5% WW AXIAL

• ELXS161VSN122MQ40S

  電容器    United Chemi-Con    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 1200UF 160V 20% SNAP

• CURA104-G

  單二極管/整流器    Comchip Technology    DO-214AC，SMA    DIODE ULT FAST 1A 400V DO-214AC

• EEC17DTEF

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions        CONN EDGECARD 34POS .100 EYELET

• EMD6T2R

  晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式    Rohm Semiconductor    SOT-563，SOT-666    TRANS PNP/NPN 50V 100MA EMT6

• EEE-HB0J330R

  電容器    Panasonic Electronic Components    徑向，Can - SMD    CAP ALUM 33UF 6.3V 20% SMD