

EMD4DXV6T1G詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS BRT NPN/PNP DL 50V SOT-563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):47k,10k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:500mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:SOT-563
- 包裝:帶卷 (TR)
EMD4DXV6T5G詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS BRT NPN/PNP DL 50V SOT-563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):47k,10k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:500mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:SOT-563
- 包裝:帶卷 (TR)
EMD4T2R詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS COMPLEX DGTL PNP/NPN EMT6
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):47k,10k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:68 @ 5mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA / 300mV @ 250µA,5mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:250MHz
- 功率_最大:150mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:EMT6
- 包裝:剪切帶 (CT)
EMD4T2R詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS COMPLEX DGTL PNP/NPN EMT6
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):47k,10k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:68 @ 5mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA / 300mV @ 250µA,5mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:250MHz
- 功率_最大:150mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:EMT6
- 包裝:帶卷 (TR)
EMD4T2R詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS COMPLEX DGTL PNP/NPN EMT6
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):47k,10k
- 電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:68 @ 5mA,5V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA / 300mV @ 250µA,5mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:250MHz
- 功率_最大:150mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:EMT6
- 包裝:Digi-Reel®
- 箱 Bud Industries BOX ABS 7.61X4.61X2.36" BLACK
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 34POS DIP .100 SLD
- 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 Rohm Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS PNP/NPN 50V 50MA EMT6
- 電容器 Panasonic Electronic Components 徑向,Can - SMD CAP ALUM 560UF 35V 20% SMD
- 通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 312 OHM 13W 10% WW AXIAL
- 電容器 Panasonic Electronic Components 徑向,Can - SMD CAP ALUM 220UF 6.3V 20% SMD
- 電容器 United Chemi-Con 徑向,Can - 卡入式 CAP ALUM 1200UF 160V 20% SNAP
- 箱 Bud Industries BOX ABS 10.15X6.15X3.13" BLACK
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 34POS DIP .100 SLD
- 通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 316 OHM 13W 5% WW AXIAL
- 電容器 United Chemi-Con 徑向,Can - 卡入式 CAP ALUM 1200UF 160V 20% SNAP
- 單二極管/整流器 Comchip Technology DO-214AC,SMA DIODE ULT FAST 1A 400V DO-214AC
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 34POS .100 EYELET
- 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 Rohm Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS PNP/NPN 50V 100MA EMT6
- 電容器 Panasonic Electronic Components 徑向,Can - SMD CAP ALUM 33UF 6.3V 20% SMD