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EPC1010 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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EPC1010詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
系列：eGaN®
制造商：EPC
FET型：GaNFET N 通道，氮化鎵
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：200V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 6A，5V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1.2mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.5nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：440pF @ 100V
功率_最大：-
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：7-SMD，凸引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝：7-LGA（3.6x1.6）
包裝：帶卷 (TR)

EPC1010詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
系列：eGaN®
制造商：EPC
FET型：GaNFET N 通道，氮化鎵
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：200V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 6A，5V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1.2mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.5nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：440pF @ 100V
功率_最大：-
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：7-SMD，凸引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝：7-LGA（3.6x1.6）
包裝：剪切帶 (CT)

EPC1010詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
系列：eGaN®
制造商：EPC
FET型：GaNFET N 通道，氮化鎵
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：200V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 6A，5V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1.2mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.5nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：440pF @ 100V
功率_最大：-
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：7-SMD，凸引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝：7-LGA（3.6x1.6）
包裝：Digi-Reel®

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