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ESR18EZPJ331 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：

ESR18EZPJ331詳細(xì)規(guī)格

類別：芯片電阻 - 表面安裝

描述：RES 330 OHM 1/3W 5% 1206 SMD

系列：ESR18

制造商：Rohm Semiconductor

電阻333Ω444：330

功率333W444：0.333W，1/3W

成分：厚膜

特性：脈沖耐受

溫度系數(shù)：±200ppm/°C

容差：±5%

封裝/外殼：1206（3216 公制）

供應(yīng)商器件封裝：1206（3216 公制）

大小/尺寸：0.126" L x 0.063" W（3.20mm x 1.60mm）

高度：0.026"（0.65mm）

端子數(shù)：2

包裝：剪切帶 (CT)

ESR18EZPJ331詳細(xì)規(guī)格

類別：芯片電阻 - 表面安裝

描述：RES 330 OHM 1/3W 5% 1206 SMD

系列：ESR18

制造商：Rohm Semiconductor

電阻333Ω444：330

功率333W444：0.333W，1/3W

成分：厚膜

特性：脈沖耐受

溫度系數(shù)：±200ppm/°C

容差：±5%

封裝/外殼：1206（3216 公制）

供應(yīng)商器件封裝：1206（3216 公制）

大小/尺寸：0.126" L x 0.063" W（3.20mm x 1.60mm）

高度：0.026"（0.65mm）

端子數(shù)：2

包裝：Digi-Reel®

ESR18EZPJ331詳細(xì)規(guī)格

類別：芯片電阻 - 表面安裝

描述：RES 330 OHM 1/3W 5% 1206 SMD

系列：ESR18

制造商：Rohm Semiconductor

電阻333Ω444：330

功率333W444：0.333W，1/3W

成分：厚膜

特性：脈沖耐受

溫度系數(shù)：±200ppm/°C

容差：±5%

封裝/外殼：1206（3216 公制）

供應(yīng)商器件封裝：1206（3216 公制）

大小/尺寸：0.126" L x 0.063" W（3.20mm x 1.60mm）

高度：0.026"（0.65mm）

端子數(shù)：2

包裝：帶卷 (TR)

• IDT71V65703S80BG

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    119-BGA    IC SRAM 9MBIT 80NS 119BGA

• ESR18EZPJ302

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制）    RES 3.0K OHM 1/3W 5% 1206 SMD

• ESC05DRYN-S734

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions        CONN EDGECARD 10POS DIP .100 SLD

• CRCW20101K43FKEFHP

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2010（5025 公制）    RES 1.43K OHM 1W 1% 2010 SMD

• ESR18EZPJ305

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制）    RES 3.0M OHM 1/3W 5% 1206 SMD

• CRCW20101K47FKTF

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2010（5025 公制）    RES 1.47K OHM 3/4W 1% 2010 SMD

• ICS844252AG-04LFT

  時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 時(shí)鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器    IDT, Integrated Device Technology Inc    16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC CLOCK GENERATOR ETH 16-TSSOP

• H3BXT-10108-N4-ND

  跳線，預(yù)壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H1504TR/A2015N/X 8"

• IDT71V65703S80BQ

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    165-TBGA    IC SRAM 9MBIT 80NS 165FBGA

• CRCW20101K50FKEF

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2010（5025 公制）    RES 1.50K OHM 3/4W 1% 2010 SMD

• ESR18EZPJ392

  其它    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制）    ANTI SURGE CHIP RES; 1206 5%

• ICS844256DGILF

  時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 時(shí)鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器    IDT, Integrated Device Technology Inc    24-TSSOP（0.173"，4.40mm）裸露焊盤    IC CLK SYNTHESIZER/BUFF 24TSSOP

• H3BXT-10108-N6-ND

  跳線，預(yù)壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H1504TR/A3049N/X 8"

• CRCW20101K50JNEF

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2010（5025 公制）    RES 1.5K OHM 3/4W 5% 2010 SMD

• IDT71V65703S85BGG8

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    119-BGA    IC SRAM 9MBIT 85NS 119BGA