FCB11N60FTM詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
- 系列：SuperFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：600V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：380 毫歐 @ 5.5A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：52nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1490pF @ 25V
- 功率_最大：125W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D²PAK
- 包裝：Digi-Reel®
FCB11N60FTM詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
- 系列：SuperFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：600V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：380 毫歐 @ 5.5A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：52nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1490pF @ 25V
- 功率_最大：125W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D²PAK
- 包裝：帶卷 (TR)
FCB11N60FTM詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
- 系列：SuperFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：600V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：380 毫歐 @ 5.5A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：52nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1490pF @ 25V
- 功率_最大：125W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D²PAK
- 包裝：剪切帶 (CT)
FCB11N60TM詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
- 系列：SuperFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：600V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：380 毫歐 @ 5.5A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：52nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1490pF @ 25V
- 功率_最大：125W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D²PAK
- 包裝：剪切帶 (CT)
FCB11N60TM詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
- 系列：SuperFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：600V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：380 毫歐 @ 5.5A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：52nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1490pF @ 25V
- 功率_最大：125W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D²PAK
- 包裝：帶卷 (TR)
FCB11N60TM詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
- 系列：SuperFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：600V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：380 毫歐 @ 5.5A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：52nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1490pF @ 25V
- 功率_最大：125W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D²PAK
- 包裝：Digi-Reel®
- RF 放大器 Maxim Integrated 4-WFBGA，WLCSP IC AMP LNA GPS/GNSS 4-WLP
- 數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Microchip Technology 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC POT DGTL DUAL 10K SPI 14TSSOP
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
- PMIC - 電源管理 - 專用 Maxim Integrated 48-WFQFN 裸露焊盤 IC POWER MANAGEMENT 48-TQFN
- PMIC - 電池管理 Maxim Integrated SOT-23-6 IC BATTERY MON SNGL SOT23-6
- 撥動開關 C&K Components SWITCH TOGGLE SPDT ON-OFF-MOM
- PMIC - 電池管理 Microchip Technology 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC LIION CHRGR USB/AC-IN 10MSOP
- 接口 - 濾波器 - 有源 Maxim Integrated 24-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC FILTER BANDPASS PROG 24-SOIC
- 接口 - 驅動器，接收器，收發(fā)器 Texas Instruments 20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC DRVR/RCVR MULTCH RS232 20SOIC
- PMIC - 電池管理 Maxim Integrated SOT-23-6 IC BATTERY MON SNGL SOT23-6
- 撥動開關 C&K Components SWITCH TOGGLE SPDT ON-NONE-MOM
- PMIC - 電池管理 Microchip Technology 10-VFDFN 裸露焊盤 IC LIION CHRGR USB/AC-IN 10DFN
- PMIC - 電源管理 - 專用 Maxim Integrated 40-WFQFN 裸露焊盤 IC POWER MANAGEMENT 40-TQFN
- RF 混頻器 Maxim Integrated 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC MIXER DOWNCONVERTER 10UMAX
- 接口 - 驅動器，接收器，收發(fā)器 Maxim Integrated 20-DIP（0.300"，7.62mm） IC TXRX RS232 250KBPS SD 20-DIP
0512-67241533 
