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FCD4N60TM詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK; 系列：SuperFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.9A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16.6nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：540pF @ 25V; 功率_最大：50W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

FCD4N60TM詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK; 系列：SuperFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.9A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16.6nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：540pF @ 25V; 功率_最大：50W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

FCD4N60TM詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK; 系列：SuperFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.9A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16.6nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：540pF @ 25V; 功率_最大：50W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

FCD4N60TM_WS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK; 系列：SuperFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.9A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16.6nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：540pF @ 25V; 功率_最大：50W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

FCD4N60TM_WS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK; 系列：SuperFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.9A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16.6nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：540pF @ 25V; 功率_最大：50W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

FCD4N60TM_WS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK; 系列：SuperFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.9A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16.6nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：540pF @ 25V; 功率_最大：50W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

FAD1-06020CBJW11
風(fēng)扇 - DC Qualtek FAN 60X20MM 12VDC BALL WIRE
DBMMF21W1SM
D-Sub ITT Cannon DSUB 21W1 F
ERJ-3EKF3741V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0603（1608 公制） RES 3.74K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
DDMA50PA101
D-Sub ITT Cannon DSUB 50 M CRIMP G CAD
ERJ-3EKF1152V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0603（1608 公制） RES 11.5K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
FCD4N60TM_WS
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
FAD1-06020DHMW11
風(fēng)扇 - DC Qualtek FAN 60X20MM 24VDC HYDRO WIRE
DBMMF25PF179
D-Sub ITT Cannon DSUB 25 M WW2 FLOA G50
ERJ-3EKF37R4V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0603（1608 公制） RES 37.4 OHM 1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF1182V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0603（1608 公制） RES 11.8K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
DBMMF25SE
D-Sub ITT Cannon DSUB 25 F
FAD1-06025BHMW12
風(fēng)扇 - DC Qualtek FAN 60X25MM 5VDC HYDRO WIRE
ERJ-3EKF3830V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0603（1608 公制） RES 383 OHM 1/10W 1% 0603 SMD
DDMA-50S
D-Sub ITT Cannon, LLC CONN DSUB RCPT 50POS CRIMP
ERJ-3EKF11R0V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0603（1608 公制） RES 11.0 OHM 1/10W 1% 0603 SMD

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