FDB10AN06A0 全國供應商、價格、PDF資料
FDB10AN06A0詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:75A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10.5 毫歐 @ 75A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:37nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1840pF @ 25V
- 功率_最大:135W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:TO-263AB
- 包裝:帶卷 (TR)
- 連接器,互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 4POS STRGHT W/SKT
- 網(wǎng)絡、陣列 Bourns Inc. 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 10K OHM 4 RES 1206
- 芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 2010(5025 公制) RES 5.6 OHM 3/4W 5% 2010 SMD
- 晶體管(BJT) - 陣列 Micro Commercial Co 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANSISTOR PNP 200MA 150V SOT363
- 連接器,互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 4POS STRGHT W/SKT
- 芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0603(1608 公制) RES 560 OHM 1/10W 5% 0603 SMD
- 網(wǎng)絡、陣列 Bourns Inc. 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 100K OHM 4 RES 1206
- 芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 2010(5025 公制) RES 620 OHM 3/4W 5% 2010 SMD
- FET - 陣列 Diodes Inc SOT-563,SOT-666 MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-563
- 網(wǎng)絡、陣列 Bourns Inc. 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 100 OHM 4 RES 1206
- 芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 2010(5025 公制) RES 68 OHM 3/4W 5% 2010 SMD
- FET - 單 Diodes Inc SC-70,SOT-323 MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 7POS PIN
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
- 網(wǎng)絡、陣列 Bourns Inc. 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 100 OHM 4 RES 1206