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FDB12N50UTM_WS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK; 系列：FRFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1395pF @ 25V; 功率_最大：165W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK; 包裝：Digi-Reel®

FDB12N50UTM_WS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK; 系列：FRFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1395pF @ 25V; 功率_最大：165W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

FDB12N50UTM_WS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK; 系列：FRFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1395pF @ 25V; 功率_最大：165W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK; 包裝：帶卷 (TR)

FDB12N50UTM_WS供應(yīng)商

FDB12N50UTM_WS 深圳市芯澤盛世科技有限公司 0755-89697985
FDB12N50UTM_WS 深圳市諾洋電子科技有限公司 0755-83223003
FDB12N50UTM_WS 北京元坤國際科技有限公司 010-62962871、
FDB12N50UTM_WS 北京首天偉業(yè)科技有限公司 010-62962871、
FDB12N50UTM_WS 北京顯周科技有限公司 13910052844（微
FDB12N50UTM-WS 北京顯周科技有限公司 13910052844（微
FDB12N50UTM_WS 深圳市金嘉銳電子有限公司 0755-22929859

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MAX3100EEE
接口 - UART（通用異步接收器/發(fā)送器） Maxim Integrated 16-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） IC UART SPI/MICRWIRE COMP 16QSOP
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