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FDC796N 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

FDC796N詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 12.5A SSOT-6; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 12.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1444pF @ 15V; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-SSOT 扁平引線，SuperSOT?-6 FLMP; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：6-SSOT; 包裝：Digi-Reel®

FDC796N詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 12.5A SSOT-6; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 12.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1444pF @ 15V; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-SSOT 扁平引線，SuperSOT?-6 FLMP; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：6-SSOT; 包裝：剪切帶 (CT)

FDC796N詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 12.5A SSOT-6; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 12.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1444pF @ 15V; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-SSOT 扁平引線，SuperSOT?-6 FLMP; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：6-SSOT; 包裝：帶卷 (TR)

FDC796N_F077詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 12.5A 6-SSOT; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 12.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1444pF @ 15V; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-SSOT 扁平引線，SuperSOT?-6 FLMP; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：6-SSOT; 包裝：帶卷 (TR)

ECS-196.6-S-5P-TR
晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 19.6608MHZ SERIES SMD
EGL41C-E3/97
單二極管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-213AB，MELF DIODE 1A 150V 50NS MELF
C2012Y5V1C225Z/0.85
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 2.2UF 16V Y5V 0805
FDC655BN
FET - 單 Fairchild Semiconductor SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 MOSFET N-CH 30V 6.3A SSOT-6
C315C150J2G5CA
陶瓷 Kemet 徑向 CAP CER 15PF 200V 5% RADIAL
EL4502S(TB)-V
光隔離器 - 晶體管，光電輸出 Everlight Electronics Co Ltd 8-SMD，鷗翼型 PHOTOCOUPLER TRANS 1MB 8SMD
CRCW20106M65FKTF
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 6.65M OHM 3/4W 1% 2010 SMD
EGL41D-E3/96
單二極管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-213AB，MELF DIODE 1A 200V 50NS DO-213AB
ECS-196.6-S-5P-TR
晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 19.6608MHZ SERIES SMD
C315C151J2G5TA
陶瓷 Kemet 徑向 CAP CER 150PF 200V 5% RADIAL
CRCW20106R19FKEF
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 6.19 OHM 3/4W 1% 2010 SMD
EL4502S1(TA)-V
光隔離器 - 晶體管，光電輸出 Everlight Electronics Co Ltd 8-SMD，鷗翼型 PHOTOCOUPLER TRANS 1MB 8SMD
EGL41D-E3/97
單二極管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-213AB，MELF DIODE 1A 200V 50NS MELF
ECS-196-20-23A-TR
晶體 ECS Inc 2-SMD CRYSTAL 19.6608MHZ 20PF SMD
FDC8602
FET - 陣列 Fairchild Semiconductor SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 MOSFET N-CH DUAL 100V 6-SSOT