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FDD4243 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

FDD4243詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK

系列：PowerTrench®

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：40V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.7A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫歐 @ 6.7A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1550pF @ 20V

功率_最大：3W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252

包裝：帶卷 (TR)

FDD4243詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK

系列：PowerTrench®

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：40V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.7A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫歐 @ 6.7A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1550pF @ 20V

功率_最大：3W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252

包裝：剪切帶 (CT)

FDD4243詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK

系列：PowerTrench®

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：40V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.7A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫歐 @ 6.7A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1550pF @ 20V

功率_最大：3W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252

包裝：Digi-Reel®

FDD4243_F085詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK

系列：PowerTrench®

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：40V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫歐 @ 6.7A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1550pF @ 20V

功率_最大：50W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252

包裝：帶卷 (TR)

• MAX3222CDBG4

  接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器    Texas Instruments    20-SSOP（0.209"，5.30mm 寬）    IC DRVR/RCVR MULTCH RS232 20SSOP

• MAX333AEAP+T

  接口 - 模擬開(kāi)關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器    Maxim Integrated    20-SSOP（0.209"，5.30mm 寬）    IC SWITCH QUAD SPDT 20SSOP

• FDD3706

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 20V 14.7A D-PAK

• LM4140CCMX-4.1/NOPB

  PMIC - 電壓基準(zhǔn)    Texas Instruments    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC VREF SERIES PREC 4.096V 8SOIC

• MCR100JZHJ623

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    2512（6432 公制）    RES 62K OHM 1W 5% 2512 SMD

• MAL211839109E3

  電容器    Vishay BC Components    軸向，CAN    CAP ALUM 10UF 100V 20% AXIAL

• MAX296CSA+T

  接口 - 濾波器 - 有源    Maxim Integrated    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC FILTER LOWPASS 8-SOIC

• MAX3222CDWE4

  接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器    Texas Instruments    20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    IC DRVR/RCVR MULTCH RS232 20SOIC

• MAX333CWP+T

  接口 - 模擬開(kāi)關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器    Maxim Integrated    20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    IC SWITCH QUAD SPDT 20SOIC

• MCR100JZHJ751

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    2512（6432 公制）    RES 750 OHM 1W 5% 2512 SMD

• MAX296ESA+

  接口 - 濾波器 - 有源    Maxim Integrated    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC FILTER LOWPASS 8-SOIC

• MAL211839339E3

  電容器    Vishay BC Components    軸向，CAN    CAP ALUM 33UF 100V 20% AXIAL

• MAX334EPE

  接口 - 模擬開(kāi)關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器    Maxim Integrated    16-DIP（0.300"，7.62mm）    IC SWITCH QUAD SPST 16DIP

• MAX3222CDWR

  接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器    Texas Instruments    20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    IC DRVR/RCVR MULTCH RS232 20SOIC

• FDD4685

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK