FDD5N50FTF_WS詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
- 系列：UniFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：500V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.5A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.55 歐姆 @ 1.75A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 25V
- 功率_最大：40W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
FDD5N50FTM_WS詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
- 系列：UniFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：500V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.5A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.55 歐姆 @ 1.75A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 25V
- 功率_最大：40W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：剪切帶 (CT)
FDD5N50FTM_WS詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
- 系列：UniFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：500V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.5A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.55 歐姆 @ 1.75A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 25V
- 功率_最大：40W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
FDD5N50FTM_WS詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
- 系列：UniFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：500V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.5A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.55 歐姆 @ 1.75A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 25V
- 功率_最大：40W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：Digi-Reel®
FDD5N50NZFTM詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 500V DPAK
- 系列：UniFET-II™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：500V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.7A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.75 歐姆 @ 1.85A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：485pF @ 25V
- 功率_最大：62.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：TO-252，（D-Pak）
- 包裝：帶卷 (TR)
FDD5N50NZFTM詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 500V DPAK
- 系列：UniFET-II™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：500V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.7A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.75 歐姆 @ 1.85A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：485pF @ 25V
- 功率_最大：62.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：TO-252，（D-Pak）
- 包裝：剪切帶 (CT)
- 連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 7POS PANEL MNT W/SCKT
- 振蕩器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSCILLATOR 24.7040 MHZ SMT
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
- 時鐘/計時 - 時鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 32-VFQFN 裸露焊盤 IC PLL CLK GEN 200MHZ 32VFQFN
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 2416（6041 公制） CAP FILM 0.012UF 400VDC 2416
- 振蕩器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSCILLATOR 29.4912 MHZ SMT
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
- 連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 3POS PANEL MNT W/SCKT
- 風扇 - DC Copal Electronics Inc 徑向，扁橢圓形 FAN 12VDC 41X12.2MM .48W 3.88CFM
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 2416（6041 公制） CAP FILM 0.015UF 400VDC 2416
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 75A D-PAK
- 時鐘/計時 - 時鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC CLK GENERATOR LOW EMI 8SOIC
- 振蕩器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSCILLATOR 8.0000 MHZ SMT
- 風扇 - DC Copal Electronics Inc 徑向，扁橢圓形 FAN 12VDC 41X12.2MM .48W 3.53CFM
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK
0755-82533156 
0755-83222787 
