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FDFS2P102詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫歐 @ 3.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 10V; 功率_最大：900mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

FDFS2P102詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫歐 @ 3.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 10V; 功率_最大：900mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

FDFS2P102詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫歐 @ 3.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 10V; 功率_最大：900mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

FDFS2P102A詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫歐 @ 3.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：182pF @ 10V; 功率_最大：900mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

FDFS2P102A詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫歐 @ 3.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：182pF @ 10V; 功率_最大：900mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

FDFS2P102A詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫歐 @ 3.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：182pF @ 10V; 功率_最大：900mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

FGJ.2B.303.CLLD62Z
連接器，互連器件 LEMO TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA PLUG CDJ 3CTS C-COL
ECQ-E2823RKF
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.082UF 250VDC RADIAL
GCC31DCAH-S189
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 62POS R/A .100 SLD
FDFMA3N109
FET - 單 Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盤 MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2
GBC25DCMD
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 50POS .100" WW
GRM0336T1E1R0CD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 1PF 25V T2H 0201
FFA.2S.310.CLAC77
連接器，互連器件 LEMO PLUG 10CTS C-COL
FGJ.2B.303.CYMD82Z
連接器，互連器件 LEMO TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA PLUG CDJ 3CTS D-COL
GCC31DCMI
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 62POS .100" WW
GBC25DCMN
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 50POS .100" WW
FFA.3E.312.CLAC80Z
連接器，互連器件 LEMO PLUG 12CTS C-COL
GRM0336T1E1R2CD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 1.2PF 25V T2H 0201
GRM1535C1H221JDD5D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 220PF 50V 5% NP0 0402
FGJ.2B.306.CYPD52
連接器，互連器件 LEMO TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA PLUG CDJ 6CTS D-COL
ECQ-E2824RJB
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.82UF 250VDC RADIAL

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