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FDMC8200詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A POWER33; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A，12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：660pF @ 15V; 功率_最大：700mW，900mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerVDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-Power33（3x3）; 包裝：剪切帶 (CT)

FDMC8200詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A POWER33; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A，12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：660pF @ 15V; 功率_最大：700mW，900mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerVDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-Power33（3x3）; 包裝：Digi-Reel®

FDMC8200詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A POWER33; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A，12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：660pF @ 15V; 功率_最大：700mW，900mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerVDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-Power33（3x3）; 包裝：帶卷 (TR)

FDMC8200S詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 8MLP; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：660pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-WDFN 裸露焊盤; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-MLP（3.3X3.3），Power33; 包裝：剪切帶 (CT)

FDMC8200S詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 8MLP; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：660pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-WDFN 裸露焊盤; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-MLP（3.3X3.3），Power33; 包裝：Digi-Reel®

FDMC8200S詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 8MLP; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：660pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-WDFN 裸露焊盤; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-MLP（3.3X3.3），Power33; 包裝：帶卷 (TR)

FEPB16GTHE3/45
二極管，整流器 - 陣列 Vishay General Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB DIODE 16A 400V 50NS DUAL
FP-301 1" CR 100’
熱縮管 3M 非標準 HEATSHRINK FP301 1" 100’ CLR
EBC35DRES-S93
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 70POS .100 EYELET
FQP45N15V2
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 150V 45A TO-220
FDMC7692
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-PowerWDFN MOSFET N-CH 30V 8-MLP
ESM08DTMI
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 16POS R/A .156 SLD
GCC22DCAH
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 44POS R/A .100 SLD
FP-301 1" GN 100’
熱縮管 3M 非標準 HEATSHRINK FP301 1" 100’ GRN
FEPB6CTHE3/45
二極管，整流器 - 陣列 Vishay General Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB DIODE 6A 150V 35NS DUAL TO263AB
ESM08DTMN-S189
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 16POS R/A .156 SLD
FQP47P06
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET P-CH 60V 47A TO-220
GCC22DCAI-S189
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 44POS R/A .100 SLD
FP-301 1" WT 100’
熱縮管 3M 非標準 HEATSHRINK FP301 1" 5’ WHITE
FEPF16JTHE3/45
二極管，整流器 - 陣列 Vishay General Semiconductor TO-220-3 隔離片 DIODE 16A 600V 50NS DUAL TO220-3
FDMC8554
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 20V 16.5A POWER33

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