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FDS4675詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4350pF @ 20V; 功率_最大：1.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

FDS4675詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4350pF @ 20V; 功率_最大：1.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

FDS4675詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4350pF @ 20V; 功率_最大：1.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

FDS4675_F085詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4350pF @ 20V; 功率_最大：1.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

FDS4675_F085詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4350pF @ 20V; 功率_最大：1.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

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GCM155R71E223KA55D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 0.022UF 25V 10% X7R 0402
CMF55165R00FHEB
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 165 OHM 1/2W 1% AXIAL
FFS-20-QD
快動，限位，拉桿 Honeywell Sensing and Control TO-220-3 整包 FF SAFETY SW & ACTUATOR 2NC DC
FDS4559
FET - 陣列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N/P-CH 60V 4.5/3.5A SO-8
GRM1556T1H7R9DD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 7.9PF 50V T2H 0402
FWJ-11-01-T-S
矩形- 接頭，公引腳 Samtec Inc 圓柱形，扁平端子（螺栓） CONN HEADER .156" 11POS SNGL TIN
CMF551K1700BERE
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 1.17K OHM 1/2W 0.1% AXIAL
GCM155R71E473KA55D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 0.047UF 25V 10% X7R 0402
CMF55165R00FKBF
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 165 OHM 1/2W 1% AXIAL
GRM1556T1H820GD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 82PF 50V 2% T2H 0402
FWJ-15-01-T-S
矩形- 接頭，公引腳 Samtec Inc 圓柱形，扁平端子（螺栓） CONN HEADER .156" 15POS SNGL TIN
CMF551K1700DHEK
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 1.17K OHM 1/2W 0.5% AXIAL
CMF55165R00FKEA70
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 165 OHM 1/2W 1% AXIAL
GCM155R71E682KA37D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 6800PF 25V 10% X7R 0402
FDS4770
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 40V 13.2A 8SOIC

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FDS4675 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

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GCM155R71E223KA55D

CMF55165R00FHEB

FFS-20-QD

FDS4559

GRM1556T1H7R9DD01D

FWJ-11-01-T-S

CMF551K1700BERE

GCM155R71E473KA55D

CMF55165R00FKBF

GRM1556T1H820GD01D

FWJ-15-01-T-S

CMF551K1700DHEK

CMF55165R00FKEA70

GCM155R71E682KA37D

FDS4770

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