FDS6680詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11.5A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 11.5A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2070pF @ 15V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：剪切帶 (CT)
FDS6680詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11.5A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 11.5A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2070pF @ 15V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：Digi-Reel®
FDS6680詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11.5A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 11.5A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2070pF @ 15V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
FDS6680A詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.5A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 12.5A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1620pF @ 15V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：剪切帶 (CT)
FDS6680A詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.5A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 12.5A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1620pF @ 15V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：Digi-Reel®
FDS6680A詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.5A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 12.5A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1620pF @ 15V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
- PMIC - 激光驅(qū)動器 Maxim Integrated 32-WFQFN 裸露焊盤 IC LSR DRVR 2.7GBPS 3.63V 32TQFN
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Maxim Integrated 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1210（3225 公制） RES 80.6 OHM 1/4W 1% 1210 SMD
- 連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 2POS STRGHT W/PINS
- FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Maxim Integrated 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
- 線性 - 音頻放大器 Texas Instruments 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC AMP AUDIO PWR 1.9W AB 10MSOP
- 接口 - 專用 Maxim Integrated 16-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） IC PORT BYPASS 2.125GBPS 16-QSOP
- PMIC - 電壓基準 Texas Instruments TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC 4.096V SOT23
- 連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 5POS STRGHT W/PINS
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1210（3225 公制） RES 82.5K OHM 1/4W 1% 1210 SMD
- 線性 - 音頻放大器 Texas Instruments 12-WFBGA IC AMP AUDIO PWR MONO AB 12USMD
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Maxim Integrated 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Maxim Integrated 16-DIP（0.300"，7.62mm） IC MULTIPLEXER 8X1 16DIP
- PMIC - 電壓基準 Texas Instruments 6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353 IC VREF SHUNT PREC 4.096V SC70-5
0755-82569753 
0755-15913992 
