FDS86106 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

FDS86106詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-SOIC

系列：PowerTrench®

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.4A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫歐 @ 3.4A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：208pF @ 50V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

FDS86106詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-SOIC

系列：PowerTrench®

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.4A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫歐 @ 3.4A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：208pF @ 50V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：剪切帶 (CT)

FDS86106詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-SOIC

系列：PowerTrench®

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.4A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫歐 @ 3.4A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：208pF @ 50V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：Digi-Reel®

• H4BBG-10104-B1-ND

  跳線，預(yù)壓接線    Hirose Electric Co Ltd    9-DIP 模塊，1/2 磚    JUMPER-H9991TR/A3047B/H9991TR 4"

• IR2085STR

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān)    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC DRVR HALF-BRDG SELF-OSC 8SOIC

• IRG4BC30U-STRRP

  IGBT - 單路    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    IGBT ULT FAST 600V 23A D2PAK

• FDS7288N3

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤    MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC

• ISC1812RQ471J

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 470UH 5% 1812

• IRG4BC30W

  IGBT - 單路    International Rectifier    TO-220-3    IGBT WARP 600V 23A TO-220AB

• H4BBG-10104-G8-ND

  跳線，預(yù)壓接線    Hirose Electric Co Ltd    9-DIP 模塊，1/2 磚    JUMPER-H9991TR/A3048G/H9991TR 4"

• IR2085STRPBF

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān)    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC DRIVER HALF BRIDGE OSC 8SOIC

• GJM0335C1E6R6BB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 6.6PF 25V NP0 0201

• ISC1812RQR12K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 120NH 10% 1812

• IRG4BC40WPBF

  IGBT - 單路    International Rectifier    TO-220-3    IGBT WARP 600V 40A TO220AB

• IR2086SPBF

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān)    International Rectifier    16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC DVR FULL BRIDGE HI/LOW 16SOIC

• H4BBG-10105-G1-ND

  跳線，預(yù)壓接線    Hirose Electric Co Ltd    9-DIP 模塊，1/2 磚    JUMPER-H9991TR/A3047G/H9991TR 5"

• GJM0335C1E6R6DB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 6.6PF 25V NP0 0201

• ISC1812RQR39M

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 390NH 20% 1812