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庫(kù)存索引233
» 型號(hào)"FQB19N20"的供應(yīng)信息
FQB19N20 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料
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FQB19N20CTM詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:19A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:170 毫歐 @ 9.5A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:53nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1080pF @ 25V
功率_最大:3.13W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-263-2
包裝:Digi-Reel®
FQB19N20CTM詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:19A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:170 毫歐 @ 9.5A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:53nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1080pF @ 25V
功率_最大:3.13W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-263-2
包裝:帶卷 (TR)
FQB19N20CTM詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:19A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:170 毫歐 @ 9.5A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:53nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1080pF @ 25V
功率_最大:3.13W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-263-2
包裝:剪切帶 (CT)
FQB19N20LTM詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:21A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:140 毫歐 @ 10.5A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2200pF @ 25V
功率_最大:3.13W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝:D²PAK
包裝:剪切帶 (CT)
FQB19N20LTM詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:21A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:140 毫歐 @ 10.5A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2200pF @ 25V
功率_最大:3.13W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝:D²PAK
包裝:Digi-Reel®
FQB19N20LTM詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:21A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:140 毫歐 @ 10.5A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2200pF @ 25V
功率_最大:3.13W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝:D²PAK
包裝:帶卷 (TR)
FQB19N20供應(yīng)商
FQB19N20CTM
深圳市向鴻偉業(yè)電子有限公司
0755-82561519
FQB19N20LTM
深圳市裕碩科技有限公司
0755-23613962
FQB19N20TM
深圳市海虹微電子有限公司
0755-83291010
FQB19N20CTM
北京元坤國(guó)際科技有限公司
010-62962871、
FQB19N20TM
瀚佳科技(深圳)有限公司
0755-23915992
FQB19N20TM
深圳市和諧世家電子有限公司
0755-82731800
FQB19N20LTM
深圳市裕坤生電子科技有限公司
13410665908
FQB19N20
深圳市晶美隆科技有限公司
0755-82865294
FQB19N20LTM
深圳市恒佳微電子有限公司
0755-82533156
FQB19N20TM
深圳市巨盛邦電子有限公司
19129493510
FQB19N20TM
深圳信泰電子器材有限公司
0755-83242658
FQB19N20L
深圳市向鴻偉業(yè)電子有限公司
0755-82561519
FQB19N20C
深圳市銀芯龍科技有限公司
13510131896
FQB19N20LTM
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司
0755-88917652
FQB19N20LTM
深圳市向鴻偉業(yè)電子有限公司
0755-82561519
FQB19N20TM
深圳市源豐誠(chéng)電子科技有限公司
0755-23919407
查看更多FQB19N20的供應(yīng)商
ECW-HA3C362HB
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 3600PF 1.6KVDC RADIAL
FQB16N25TM
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 250V 16A D2PAK
ECW-HA3C362JQ
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 3600PF 1.6KVDC RADIAL
ECW-HA3C363HQ
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.036UF 1.6KVDC RADIAL
FQB17N08LTM
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK
ECW-HA3C392H4
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 3900PF 1.6KVDC RADIAL
ECW-HA3C393H4
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.039UF 1.6KVDC RADIAL
FQB19N10LTM
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
ECW-HA3C393J
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.039UF 1.6KVDC RADIAL
ECW-HA3C472H4
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 4700PF 1.6KVDC RADIAL
H3BXT-10105-W6-ND
跳線(xiàn),預(yù)壓接線(xiàn) Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A3049W/X 5"
ECW-HA3C472JB
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 4700PF 1.6KVDC RADIAL
FQB19N20TM
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
H3BXT-10106-B8-ND
跳線(xiàn),預(yù)壓接線(xiàn) Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A3048B/X 6"
H3BXT-10106-V8-ND
跳線(xiàn),預(yù)壓接線(xiàn) Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A3048V/X 6"
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