FQB2N50TM 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

FQB2N50TM詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 500V 2.1A D2PAK

系列：QFET™

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：500V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.1A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.3 歐姆 @ 1.05A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：8nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：230pF @ 25V

功率_最大：3.13W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK

包裝：帶卷 (TR)

• CGA3E2X7R1H682K

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 6800PF 50V 10% X7R 0603

• ESR10EZPF7R50

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 7.50 OHM 1/4W 1% 0805 SMD

• FK18X5R1A105K

  陶瓷    TDK Corporation    徑向    CAP CER 1UF 10V 10% RADIAL

• CGL0.6101.151

  電源輸入 - 模塊    Schurter Inc    -    MOD PWR 10A MED FILTER QC PNL MT

• FQB27P06TM

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK

• CGA6N3X7R2A225K/SOFT

  陶瓷    TDK Corporation    1210（3225 公制）    CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1210

• CGA3E2X7R1H683K

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 0.068UF 50V 10% X7R 0603

• ESR10EZPF9762

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 97.6K OHM 1/4W 1% 0805 SMD

• FK18X5R1C155K

  陶瓷    TDK Corporation    徑向    CAP CER 1.5UF 16V 10% RADIAL

• CGA6N3X7R2A225M/SOFT

  陶瓷    TDK Corporation    1210（3225 公制）    CAP CER 2.2UF 100V 20% X7R 1210

• CGA3E2X7R1H683K

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 0.068UF 50V 10% X7R 0603

• ESR10EZPJ000

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 0.0 OHM 1/4W 0805 SMD

• FK18X5R1C225K

  陶瓷    TDK Corporation    徑向    CAP CER 2.2UF 16V 10% RADIAL

• FQB33N10LTM

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK

• CGO103M055L

  電容器    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    徑向，Can - 螺絲端子    CAP ALUM 10000UF 55V 20% SCREW