FQB34P10TM詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
- 系列：QFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：33.5A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 16.75A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2910pF @ 25V
- 功率_最大：3.75W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設(shè)備封裝：TO-263-2
- 包裝：Digi-Reel®
FQB34P10TM詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
- 系列：QFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：33.5A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 16.75A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2910pF @ 25V
- 功率_最大：3.75W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設(shè)備封裝：TO-263-2
- 包裝：帶卷 (TR)
FQB34P10TM詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
- 系列：QFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：33.5A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 16.75A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2910pF @ 25V
- 功率_最大：3.75W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設(shè)備封裝：TO-263-2
- 包裝：剪切帶 (CT)
FQB34P10TM_F085詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
- 系列：QFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：33.5A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 16.75A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2910pF @ 25V
- 功率_最大：3.75W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設(shè)備封裝：D²PAK
- 包裝：Digi-Reel®
FQB34P10TM_F085詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
- 系列：QFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：33.5A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 16.75A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2910pF @ 25V
- 功率_最大：3.75W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設(shè)備封裝：D²PAK
- 包裝：剪切帶 (CT)
FQB34P10TM_F085詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
- 系列：QFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：33.5A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 16.75A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2910pF @ 25V
- 功率_最大：3.75W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設(shè)備封裝：D²PAK
- 包裝：帶卷 (TR)
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 36POS R/A .156 SLD
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 86POS R/A .156 SLD
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
- 底座安裝電阻器 Vishay Huntington Electric Inc. 徑向，扁橢圓形 RES 50 OHM 10W OVAL SILICONE 10%
- 通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 12 OHM 1/2W 2% AXIAL
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div REPLACD BY FCS-HCP-DUPLEX-100M
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 10POS DIP .100 SLD
- 配件 Bivar Inc PERM-O-PADS CAP MT EC NYL NAT
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 86POS R/A .156 SLD
- 通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 12 OHM 1/2W 2% AXIAL
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div REPLACD BY FCS-HCP-DUPLEX-100M
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 10POS .100 EXTEND
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 86POS R/A .156 SLD
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 44POS R/A .156 SLD
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAK
0755-82569753 
18026926850/0 
