FQB46N15 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

FQB46N15TM_AM002詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 150V 45.6A D2PAK

系列：QFET™

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：150V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：45.6A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫歐 @ 22.8A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3250pF @ 25V

功率_最大：3.75W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK

包裝：帶卷 (TR)

• FK18X7R1E224K

  陶瓷    TDK Corporation    徑向    CAP CER 0.22UF 25V 10% RADIAL

• CGA3E2X8R1H102K

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 1000PF 50V 10% X8R 0603

• ESR10EZPJ131

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 130 OHM 1/4W 5% 0805 SMD

• CGA6P3X7S1H106K/SOFT

  陶瓷    TDK Corporation    1210（3225 公制）    CAP CER 10UF 50V 10% X7S 1210

• CGRB301-G

  單二極管/整流器    Comchip Technology    DO-214AA，SMB    DIODE GEN PURP 3A 50V DO-214AA

• FK18X7R1E334K

  陶瓷    TDK Corporation    徑向    CAP CER 0.33UF 25V 10% RADIAL

• ESR10EZPJ131

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 130 OHM 1/4W 5% 0805 SMD

• CGA3E2X8R1H102K

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 1000PF 50V 10% X8R 0603

• CGA6P3X7S1H685K

  陶瓷    TDK Corporation    1210（3225 公制）    CAP CER 6.8UF 50V 10% X7S 1210

• ESR10EZPJ150

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 15 OHM 1/4W 5% 0805 SMD

• CGA3E2X8R1H103K

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 10000PF 50V 10% X8R 0603

• FK18X7R1E684K

  陶瓷    TDK Corporation    徑向    CAP CER 0.68UF 25V 10% RADIAL

• CGA8L2X7R1H155K

  陶瓷    TDK Corporation    1812（4532 公制）    CAP CER 1.5UF 50V 10% X7R 1812

• FQB50N06LTM

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK

• CGRC301-G

  單二極管/整流器    Comchip Technology    DO-214AB，SMC    DIODE GEN PURP 3A 50V DO-214AB