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FQD7P06TF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：451 毫歐 @ 2.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：295pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

FQD7P06TM詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：451 毫歐 @ 2.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：295pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：TO-252-3; 包裝：剪切帶 (CT)

FQD7P06TM詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：451 毫歐 @ 2.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：295pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：TO-252-3; 包裝：Digi-Reel®

FQD7P06TM詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：451 毫歐 @ 2.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：295pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：TO-252-3; 包裝：帶卷 (TR)

FQD7P06TM_F080詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：451 毫歐 @ 2.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：295pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

FQD7P06TM_NB82050詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：451 毫歐 @ 2.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：295pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

CMF5020R000BEEB
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 20 OHM 1/4W 0.1% AXIAL
GLZ54K
配件 Honeywell Sensing and Control SWITCH ACCESSORY ACTUATOR
FA1-NIRP-PCB-8
同軸，RF Amphenol-RF Division CONN PLUG FAKRA R/A PCB
FQD7N20TM
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK
FRM50SJR-52-22R
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES FUSE METAL 22 OHM 1/2W 5%
GRM0335C1H1R8CD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 1.8PF 50V NP0 0201
CMF50210K00FHEB
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 210K OHM 1/4W 1% AXIAL
FA1-NISJ-C04-0
同軸，RF Amphenol-RF Division CONN JACK FAKRA RG-58, 141
GLZ54K
配件 Honeywell Sensing and Control SWITCH ACCESSORY ACTUATOR
CMF50210K00FHEK
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 210K OHM 1/4W 1% AXIAL
GRM0335C1H1R9CD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 1.9PF 50V NP0 0201
GLZ54N
配件 Honeywell Sensing and Control SWITCH ACCESSORY ACTUATOR
FA1-NISJ-C04-6
同軸，RF Amphenol-RF Division CONN JACK FAKRA RG-58, 141
FQD8P10TF_NB82052
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
FRM50SJR-52-470R
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES FUSE METAL 470 OHM 1/2WS 5%

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