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庫(kù)存索引1
» 型號(hào)"H3BXT-10104-N8-ND"的供應(yīng)信息
H3BXT-10104-N8-ND 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料
型號(hào):
廠商:
批號(hào):
封裝:
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H3BXT-10104-N8-ND詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:跳線,預(yù)壓接線
描述:JUMPER-H1504TR/A3048N/X 4"
系列:DF11
制造商:Hirose Electric Co Ltd
接觸端:插口至線纜(圓形)
長(zhǎng)度:4.0"(101.6mm)
線規(guī):28 AWG
觸頭鍍層:錫
顏色:棕
排數(shù):1
導(dǎo)體數(shù):1
觸頭鍍層厚度:-
H3BXT-10104-N8-ND供應(yīng)商
H3BXT-10104-N8-ND
北京顯周科技有限公司
13910052844(微
查看更多H3BXT-10104-N8-ND的供應(yīng)商
ESR18EZPJ103
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 10K OHM 1/3W 5% 1206 SMD
CRCW2010187RFKTF
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 187 OHM 3/4W 1% 2010 SMD
ICS8432BY-51LF
時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 時(shí)鐘發(fā)生器,PLL,頻率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LQFP IC SYNTHESIZER GP LVPECL 32-LQFP
H3BXT-10104-L6-ND
跳線,預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A3049L/X 4"
ESR18EZPJ104
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 100K OHM 1/3W 5% 1206 SMD
CRCW201018K0JNEF
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 18K OHM 3/4W 5% 2010 SMD
IDT71V632ZS5PF
存儲(chǔ)器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 2MBIT 5NS 100TQFP
ESBM04100
接線板 - 線至板 Amphenol PCD CONN TERM BLK 4POS 3.5MM R/A BK
ESR18EZPJ105
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 1.0M OHM 1/3W 5% 1206 SMD
ICS8432DYI-101LF
時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 時(shí)鐘發(fā)生器,PLL,頻率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LQFP IC SYNTHESIZER 700MHZ 32-LQFP
ESR18EZPJ106
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 10M OHM 1/3W 5% 1206 SMD
IDT71V65602S100BQ8
存儲(chǔ)器 IDT, Integrated Device Technology Inc 165-TBGA IC SRAM 9MBIT 100MHZ 165FBGA
ESBM07100
接線板 - 線至板 Amphenol PCD CONN TERM BLK 7POS 3.5MM R/A BK
CRCW201018K7FKEFHP
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 18.7K OHM 1W 1% 2010 SMD
ESR18EZPJ112
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 1.1K OHM 1/3W 5% 1206 SMD
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