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» 型號(hào)"H3BXT-10106-R6-ND"的供應(yīng)信息
H3BXT-10106-R6-ND 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料
型號(hào):
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H3BXT-10106-R6-ND詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:跳線,預(yù)壓接線
描述:JUMPER-H1504TR/A3049R/X 6"
系列:DF11
制造商:Hirose Electric Co Ltd
接觸端:插口至線纜(圓形)
長(zhǎng)度:6.0"(152.4mm)
線規(guī):26 AWG
觸頭鍍層:錫
顏色:紅
排數(shù):1
導(dǎo)體數(shù):1
觸頭鍍層厚度:-
H3BXT-10106-R6-ND供應(yīng)商
查看更多H3BXT-10106-R6-ND的供應(yīng)商
ESR18EZPJ221
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 220 OHM 1/3W 5% 1206 SMD
ESC05DREF-S13
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 10POS .100 EXTEND
ICS8440258AK-46LFT
時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 時(shí)鐘發(fā)生器,PLL,頻率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 32-VFQFN 裸露焊盤(pán) IC SYNTHESIZER 8OUTPUT 32-VFQFPN
H3BXT-10106-N8-ND
跳線,預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A3048N/X 6"
CRCW20101K10FKEFHP
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 1.10K OHM 1W 1% 2010 SMD
IDT71V65603S150BQ8
存儲(chǔ)器 IDT, Integrated Device Technology Inc 165-TBGA IC SRAM 9MBIT 150MHZ 165FBGA
ESR18EZPJ223
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 22K OHM 1/3W 5% 1206 SMD
CRCW20101K10JNEFHP
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 1.1K OHM 1W 5% 2010 SMD
ESR18EZPJ223
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 22K OHM 1/3W 5% 1206 SMD
ICS844031BGI-01LFT
時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 時(shí)鐘發(fā)生器,PLL,頻率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC CLK GEN ETHERNET 8TSSOP
CRCW20101K13FKTF
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 1.13K OHM 3/4W 1% 2010 SMD
IDT71V65603S150PFGI8
存儲(chǔ)器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 9MBIT 150MHZ 100TQFP
ESR18EZPJ270
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 27 OHM 1/3W 5% 1206 SMD
CRCW20101K18FKEFHP
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 1.18K OHM 1W 1% 2010 SMD
ESR18EZPJ2R0
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 2.0 OHM 1/3W 5% 1206 SMD
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