

HFA3127B詳細規(guī)格
- 類別:RF 晶體管 (BJT)
- 描述:IC TRANSISTOR ARRAY NPN 16-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Intersil
- 晶體管類型:5 NPN
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):12V
- 頻率_轉換:8GHz
- 噪聲系數(dB典型值0a0頻率):3.5dB @ 1GHz
- 增益:-
- 功率_最大:150mW
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 10mA,2V
- 電流_集電極333Ic444(最大):65mA
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:16-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:16-SOIC
- 包裝:管件
HFA3127B96詳細規(guī)格
- 類別:RF 晶體管 (BJT)
- 描述:IC TRANS ARRAY NPN 16-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Intersil
- 晶體管類型:5 NPN
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):12V
- 頻率_轉換:8GHz
- 噪聲系數(dB典型值0a0頻率):3.5dB @ 1GHz
- 增益:-
- 功率_最大:150mW
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 10mA,2V
- 電流_集電極333Ic444(最大):65mA
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:16-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:16-SOIC
- 包裝:帶卷 (TR)
HFA3127BZ詳細規(guī)格
- 類別:RF 晶體管 (BJT)
- 描述:IC TRANSISTOR ARRAY UHF 16-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Intersil
- 晶體管類型:5 NPN
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):12V
- 頻率_轉換:8GHz
- 噪聲系數(dB典型值0a0頻率):3.5dB @ 1GHz
- 增益:-
- 功率_最大:150mW
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 10mA,2V
- 電流_集電極333Ic444(最大):65mA
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:16-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:16-SOIC
- 包裝:帶卷 (TR)
HFA3127BZ96詳細規(guī)格
- 類別:RF 晶體管 (BJT)
- 描述:IC TRANS ARRAY NPN 16-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Intersil
- 晶體管類型:5 NPN
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):12V
- 頻率_轉換:8GHz
- 噪聲系數(dB典型值0a0頻率):3.5dB @ 1GHz
- 增益:-
- 功率_最大:150mW
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 10mA,2V
- 電流_集電極333Ic444(最大):65mA
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:16-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:16-SOIC
- 包裝:帶卷 (TR)
HFA3127R詳細規(guī)格
- 類別:RF 晶體管 (BJT)
- 描述:IC TRANS ARRAY 5X NPN 16QFN
- 系列:-
- 制造商:Intersil
- 晶體管類型:5 NPN
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):12V
- 頻率_轉換:8GHz
- 噪聲系數(dB典型值0a0頻率):3.5dB @ 1GHz
- 增益:-
- 功率_最大:150mW
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 10mA,2V
- 電流_集電極333Ic444(最大):65mA
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:16-VFQFN 裸露焊盤
- 供應商設備封裝:16-QFN-EP(3x3)
- 包裝:管件
HFA3127R96詳細規(guī)格
- 類別:RF 晶體管 (BJT)
- 描述:IC TRANS ARRAY 5X NPN 16QFN
- 系列:-
- 制造商:Intersil
- 晶體管類型:5 NPN
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):12V
- 頻率_轉換:8GHz
- 噪聲系數(dB典型值0a0頻率):3.5dB @ 1GHz
- 增益:-
- 功率_最大:150mW
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 10mA,2V
- 電流_集電極333Ic444(最大):65mA
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:16-VFQFN 裸露焊盤
- 供應商設備封裝:16-QFN-EP(3x3)
- 包裝:帶卷 (TR)
- 紅外發(fā)射器,UV 發(fā)射器 TT Electronics/Optek Technology TO-46-2,金屬罐 DIODE INFRARED EMITTING HERMETIC
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 3.92K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- 圖像,相機 Aptina LLC 48-CLCC SENSOR IMAGE 1.6MP CMOS 48-LCC
- 二極管,整流器 - 陣列 Vishay Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB DIODE HEXFRED 600V 15A D2PAK
- 電容器 United Chemi-Con 徑向,Can - SMD CAP ALUM 220UF 100V 20% SMD
- 振蕩器 CTS-Frequency Controls 8-DIP,4 引線(半尺寸,金屬罐) OSCILLATOR 19.6608MHZ HALF SIZE
- 紅外發(fā)射器,UV 發(fā)射器 TT Electronics/Optek Technology 徑向 DIODE IR PLASTC GAAIAS SIDE LOOK
- 評估演示板和套件 Avago Technologies US Inc. 25.91mm 外徑 x 12.83mm 內徑 x 28.58mm L KIT EVAL SFP GB ETH FIBRE CH APP
- 評估板 - 傳感器 Aptina LLC KIT DEVEL FOR MT9M111
- 電容器 United Chemi-Con 徑向,Can - SMD CAP ALUM 1000UF 10V 20% SMD
- 振蕩器 CTS-Frequency Controls 8-DIP,4 引線(半尺寸,金屬罐) OSCILLATOR 6.144MHZ HALF SIZE
- 光纖 - 發(fā)射器 - 離散式 Avago Technologies US Inc. 25.91mm 外徑 x 12.83mm 內徑 x 28.58mm L XMITTER FIBER OPTIC 266MBD ST
- 紅外發(fā)射器,UV 發(fā)射器 TT Electronics/Optek Technology 徑向 DIODE IR PLASTC GAAIAS SIDE LOOK
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 39.2 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- 評估板 - 傳感器 Aptina LLC KIT DEVEL FOR MT9M111