HUFA75639G3 全國供應商、價格、PDF資料
HUFA75639G3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 56A TO-247
- 系列:UltraFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:56A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫歐 @ 56A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:130nC @ 20V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2000pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3
- 供應商設備封裝:TO-247AD
- 包裝:管件
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 49A TO-220AB
- 芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 2512(6432 公制) RES 56.0 OHM 16W 1% 2512 SMD
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805(2012 公制) CAP CER 7.9PF 100V S2H 0805
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) CAP CER 8.3PF 50V T2H 0402
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
- 芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 2512(6432 公制) RES 68.0 OHM 16W 1% 2512 SMD
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) CAP CER 8.7PF 50V T2H 0402
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805(2012 公制) CAP CER 91PF 100V 5% S2H 0805
- 芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 2512(6432 公制) RES 10.0 OHM 16W 1% 2512 SMD
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805(2012 公制) CAP CER 9.3PF 100V S2H 0805
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) CAP CER 9.4PF 50V T2H 0402
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
- 芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 2512(6432 公制) RES 3.3 OHM 16W 1% 2512 SMD
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-247-3 MOSFET N-CH 100V 75A TO-247