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HUFA76609D3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 10A TO-251AA; 系列：UltraFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：425pF @ 25V; 功率_最大：49W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-251AA; 包裝：管件

HUFA76609D3S詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 10A DPAK; 系列：UltraFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：425pF @ 25V; 功率_最大：49W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

HUFA76609D3ST詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 10A DPAK; 系列：UltraFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：425pF @ 25V; 功率_最大：49W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

HUFA76609D3ST詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 10A DPAK; 系列：UltraFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：425pF @ 25V; 功率_最大：49W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

HUFA76609D3ST詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 10A DPAK; 系列：UltraFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：425pF @ 25V; 功率_最大：49W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

HUFA76609D3ST_F085詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 10A DPAK; 系列：UltraFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：425pF @ 25V; 功率_最大：49W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

GRM1885C2A300JA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 30PF 100V 5% NP0 0603
LD G5AP-4M4N-35-1-Z
LED - 高亮度，電源 OSRAM Opto Semiconductors Inc PLCC-4 LED TOPLED ADV DEEP BLUE 4PLCC
LD055C331JAB2A
陶瓷 AVX Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 330PF 50V 5% X7R 0805
HUFA76609D3ST
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
HWS600-24/ME
AC DC 轉(zhuǎn)換器 TDK-Lambda Americas Inc PWRSUP IND MEDICAL 24V 648W 27A
HR-4/3FAU(4.5AH)L2X2
電池組 FDK America Inc BATT PACK 4.8V 4100MAH NIMH
GRM1885C2A301JA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 300PF 100V 5% NP0 0603
LD055C471KAB2A
陶瓷 AVX Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 470PF 50V 10% X7R 0805
LD W5AM-3T3U-35-Z
LED - 高亮度，電源 OSRAM Opto Semiconductors Inc 2-SMD，鷗翼型 LED DRAGON PLUS BLUE 455NM SMD
IAR5F1600
按鈕 APEM Components, LLC 16-VFQFN 裸露焊盤 SWITCH PUSHBUTTON SPDT 2A 24V
HWS600-5
AC DC 轉(zhuǎn)換器 TDK-Lambda Americas Inc PWR SUP IND 5V 120A SNG OUTPUT
HR-4/3FAU(4.5AH)L5X2
電池組 FDK America Inc BATT PACK 12.0V NIMH
LD055C472KAB2A
陶瓷 AVX Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 4700PF 50V 10% X7R 0805
LD W5AM-3T4U-35-L-Z
LED - 高亮度，電源 OSRAM Opto Semiconductors Inc 2-SMD，鷗翼型 LED GOLDEN DRAGON DEEP BLUE SMD
GRM1885C2A301JA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 300PF 100V 5% NP0 0603

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