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IDT70V3579S6DR 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：

IDT70V3579S6DR詳細(xì)規(guī)格

類別：存儲器

描述：IC SRAM 1.125MBIT 6NS 208QFP

系列：-

制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc

格式_存儲器：RAM

存儲器類型：SRAM - 雙端口，同步

存儲容量：1.125M（32K x 36）

速度：6ns

接口：并聯(lián)

電壓_電源：3.15 V ~ 3.45 V

工作溫度：0°C ~ 70°C

封裝/外殼：208-BFQFP

供應(yīng)商器件封裝：208-PQFP（28x28）

包裝：托盤

• LGY1H562MELB30

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 5600UF 50V 20% SNAP

• DS1135LZ-12/T&R

  時鐘/計(jì)時 - 延遲線    Maxim Integrated    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC DELAY LINE 12NS 8-SOIC

• IDT70V3579S5BCI

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    256-LBGA    IC SRAM 1.125MBIT 5NS 256BGA

• GRM31MF51C335ZA01L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 3.3UF 16V Y5V 1206

• IMC1812BNR10M

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 100NH 20% 1812

• DTS120100SUDC-P6N

  AC DC 桌面、壁式變壓器    CUI Inc        TRANSF 12VDC 1000MA P6 NEG C

• IHSM4825PJ3R3L

  固定式    Vishay Dale    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCTOR POWER 3.3UH 4.6A SMD

• DSI30-16AS-TUBE

  單二極管/整流器    IXYS    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    DIODE STD 1600V 30A TO-263AA

• DS1135LZ-12+T&R

  時鐘/計(jì)時 - 延遲線    Maxim Integrated    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC DELAY LINE 12NS 8-SOIC

• IMC1812BNR33J

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 330NH 5% 1812

• DTS120100SUDC-P7/RP

  AC DC 桌面、壁式變壓器    CUI Inc        TRANSF 12VDC 1000MA P7 RA POS

• LGY1J222MELZ35

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 2200UF 63V 20% SNAP

• IHSM4825PJ560L

  固定式    Vishay Dale    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCTOR POWER 56UH 0.95A SMD

• DSI75-08B

  單二極管/整流器    IXYS    DO-203AB，DO-5，接線柱    DIODE CATH 1200V 110A DO-203AB

• IDT70V3589S166BC

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    256-LBGA    IC SRAM 2MBIT 166MHZ 256BGA