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IDT70V657S12DRI 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：

IDT70V657S12DRI詳細規(guī)格

類別：存儲器

描述：IC SRAM 1.125MBIT 12NS 208QFP

系列：-

制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc

格式_存儲器：RAM

存儲器類型：SRAM - 雙端口，異步

存儲容量：1.125M（32K x 36）

速度：12ns

接口：并聯(lián)

電壓_電源：3.15 V ~ 3.45 V

工作溫度：-40°C ~ 85°C

封裝/外殼：208-BFQFP

供應(yīng)商器件封裝：208-PQFP（28x28）

包裝：托盤

• LGY2G471MELC

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 470UF 400V 20% SNAP

• DS1220AD-150

  存儲器    Maxim Integrated    24-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）    IC NVSRAM 16KBIT 150NS 24DIP

• GRM31MR71H474KA01L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 0.47UF 50V 10% X7R 1206

• IDT70V657S12BF

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    208-LFBGA    IC SRAM 1.125MBIT 12NS 208FBGA

• IMC1812ER12NM

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 12NH 20% 1812

• IHSM5832RF2R2L

  固定式    Vishay Dale    非標準    INDUCTOR POWER 2.2UH 8.5A SMD

• DSP2A-DC5V

  功率，高于 2 安    Panasonic Electric Works    TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA    RELAY GENERAL PURPOSE DPST 5A 5V

• GS-3-100-9093-F-LF

  通孔電阻器    TT Electronics/IRC    軸向    RES THICK FLM 909K OHM 3W 1% AXL

• DS1220AD-200IND+

  存儲器    Maxim Integrated    24-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）    IC NVSRAM 16KBIT 200NS 24DIP

• LGY2V101MELZ

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 100UF 350V 20% SNAP

• IMC1812ER150K

  固定式    Vishay Dale        INDUCTOR WW 15UH 10% 1812

• GS4901BCNE3

  時鐘/計時 - 專用    Semtech    64-VFQFN 裸露焊盤    IC CLOCK GEN SYNTHESIZER

• DSP2A-DC5V-R

  功率，高于 2 安    Panasonic Electric Works    TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA    RELAY GENERAL PURPOSE DPST 5A 5V

• IHSM5832RF681L

  固定式    Vishay Dale    非標準    INDUCTOR POWER 680UH 0.43A SMD

• DS1221S

  存儲器 - 控制器    Maxim Integrated    16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    IC CTRLR/DECODER 4BIT 16-SOIC