IDT71124S20YI8 全國供應商、價格、PDF資料

IDT71124S20YI8詳細規(guī)格

類別：存儲器

描述：IC SRAM 1MBIT 20NS 32SOJ

系列：-

制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc

格式_存儲器：RAM

存儲器類型：SRAM - 異步

存儲容量：1M (128K x 8)

速度：20ns

接口：并聯(lián)

電壓_電源：4.5 V ~ 5.5 V

工作溫度：-40°C ~ 85°C

封裝/外殼：32-BSOJ

供應商器件封裝：32-SOJ

包裝：帶卷 (TR)

• ERA-3ARB363V

  芯片電阻 - 表面安裝    Panasonic Electronic Components    0603（1608 公制）    RES 36K OHM 1/10W .1% 0603 SMD

• EPD.1B.308.YLN

  連接器，互連器件    LEMO    16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    RECPT F.PCB 8CTS

• GP2S27T2J00F

  光學 - 反射式 - 模擬輸出    Sharp Microelectronics    4-SMD    PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM SMD

• ERA-3ARB472V

  芯片電阻 - 表面安裝    Panasonic Electronic Components    0603（1608 公制）    RES 4.7K OHM 1/10W .1% 0603 SMD

• CRCW040226K7FKED

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    0402（1005 公制）    RES 26.7K OHM 1/16W 1% 0402 SMD

• IDT71124S20YG8

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    32-BSOJ    IC SRAM 1MBIT 20NS 32SOJ

• EPF10K100ABC356-2N

  嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列）    Altera    356-BGA    IC FLEX 10KA FPGA 100K 356-BGA

• GP2S60

  光學 - 反射式 - 模擬輸出    Sharp Microelectronics    4-SMD，無引線    PHOTOINTERRUPTER REFLEC 1MM SMD

• ERA-3ARB473V

  芯片電阻 - 表面安裝    Panasonic Electronic Components    0603（1608 公制）    RES 47K OHM 1/10W .1% 0603 SMD

• CRCW040226R1FKED

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    0402（1005 公制）    RES 26.1 OHM 1/16W 1% 0402 SMD

• GP2S60A

  光學 - 反射式 - 模擬輸出    Sharp Microelectronics    4-SMD，無引線    PHOTOINTERRUPTER REFLEC .7MM SMD

• ERA-3ARB473V

  芯片電阻 - 表面安裝    Panasonic Electronic Components    0603（1608 公制）    RES 47K OHM 1/10W .1% 0603 SMD

• EPF10K100EQC240-1X

  嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列）    Altera    240-BFQFP    IC FLEX 10KE FPGA 100K 240-PQFP

• GP2S700HCP

  光學 - 反射式 - 模擬輸出    Sharp Microelectronics    4-SMD    PHOTOINTERRUPTER REFLEC 3MM SMD

• ERA-3ARB512V

  芯片電阻 - 表面安裝    Panasonic Electronic Components    0603（1608 公制）    RES 5.1K OHM 1/10W .1% 0603 SMD